集積回路素子製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：坂口博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000046447
Publication number (International publication number)：2000252445
Application date： Feb. 23, 2000
Publication date： Sep. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】より安定したしきい値電圧を生成するための方法および構造を提供すること。【解決手段】この集積回路素子および集積回路素子の製造方法は、記憶素子の隣りに、記憶素子に隣接する記憶ノード拡散領域308と記憶ノード拡散領域に対向するビット線コンタクト拡散領域306とを含むようにパターン形成したゲート・スタック301を形成すること、記憶ノード拡散領域308とビット線コンタクト拡散領域306に不純物を注入すること、パターン形成したゲート・スタック301上に絶縁体層を形成すること、ビット線コンタクト拡散領域306に隣接するパターン形成したゲート・スタック301の一部分に沿って側壁スペーサ53を形成すること、絶縁体層が第2の拡散領域からハロー注入物を遮らないようにビット線コンタクト拡散領域にハロー注入物60を注入すること、および集積回路素子をアニールして、ハロー注入物60を不純物よりも先に拡散させることを含む。

Claim (excerpt)：

記憶素子と、前記記憶素子に隣接する記憶ノード拡散領域と、前記記憶ノード拡散領域に隣接するパターン形成したゲート・スタックと、前記パターン形成したゲート・スタックに隣接するビット線コンタクト拡散領域とを含む集積回路素子を製造する方法であって、基板に不純物を注入して、前記記憶ノード拡散領域と前記ビット線コンタクト拡散領域とを形成する段階と、前記パターン形成したゲート・スタック上に絶縁体を形成する段階と、前記ビット線コンタクト拡散領域の上から前記絶縁体の一部分を除去して、前記ビット線コンタクト拡散領域に隣接する前記パターン形成したゲート・スタックの一部分に沿って側壁スペーサを形成する段階と、前記絶縁体が、前記ビット線コンタクト拡散領域からハロー注入物を遮らないように、前記ビット線コンタクト拡散領域に斜めにハロー注入物を注入する段階と、前記集積回路素子をアニールして、前記不純物より前に前記ハロー注入物を拡散させる段階とを含む方法。

IPC (4)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/265 604 , H01L 29/78

FI (4)：

H01L 27/10 671 Z , H01L 21/265 604 Z , H01L 27/10 625 A , H01L 29/78 301 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-164615 Applicant：ソニー株式会社
半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-300815 Applicant：株式会社日立製作所
閾値下スイングを有する絶縁ゲート電界効果トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-097658 Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド

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