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J-GLOBAL ID：200903033321565248

非晶質炭素膜及びその成膜方法

Inventor：
井手 幸夫

About 井手 幸夫

, 
福田 匠

About 福田 匠

, 
本多 祐二

About 本多 祐二


Applicant, Patent owner：
山口県

About 山口県

, 
株式会社ユーテック

About 株式会社ユーテック


Agent (2)： 柳瀬 睦肇 ,  渡部 温
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008026239
Publication number (International publication number)：2009185336
Application date： Feb. 06, 2008
Publication date： Aug. 20, 2009
Summary：
【課題】少なくとも潤滑油中で摩擦特性が優れること、または無潤滑および潤滑油中の両方の環境下で摩擦特性が優れた非晶質炭素膜およびその成膜方法を提供する。【解決手段】原料ガスはトルエンガスおよびHMDSで、周波数は50kHz以上500kHz以下で、圧力は0.5Pa以上20Pa以下で、成膜中の温度は150〜400°Cの条件のプラズマCVD法を用いて基材上に形成された炭素と水素または炭素と珪素と水素を含有する非晶質炭素膜であって、組成がC1-a-bSiaHbで、かつ、0≦a≦0.2、0.75≦b<0.25であることを特徴とする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
プラズマCVD法を用いて基材上に形成された炭素と水素または炭素と珪素と水素を含有する非晶質炭素膜であって、 組成がC1-a-bSiaHbで、かつ、0≦a≦0.2、0.075≦b<0.25であることを特徴とする非晶質炭素膜。
IPC (3)：
C23C 16/26 ,  C23C 16/509 ,  C01B 31/02
FI (3)：
C23C16/26 ,  C23C16/509 ,  C01B31/02 101Z
F-Term (26)：
4G146AA01 ,  4G146AA17 ,  4G146AB07 ,  4G146AD02 ,  4G146BA12 ,  4G146BA38 ,  4G146BA48 ,  4G146BC09 ,  4G146BC31A ,  4G146BC31B ,  4K030AA01 ,  4K030AA09 ,  4K030BA28 ,  4K030BA48 ,  4K030BB05 ,  4K030BB13 ,  4K030CA02 ,  4K030CA12 ,  4K030DA03 ,  4K030FA03 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA18 ,  4K030KA28 ,  4K030LA02 ,  4K030LA23
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (15)
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Cited by examiner (14)
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