窒化物系化合物半導体レーザ素子及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998058603
Publication number (International publication number)：1999261160
Application date： Mar. 10, 1998
Publication date： Sep. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】窒化物系化合物半導体レーザ素子において、駆動電流の低減、信頼性の向上及び発振横モードの安定化を図る。【解決手段】 n型第1クラッド層104とp型第2クラッド層107とで挟まれた活性層105を有する窒化物系化合物半導体レーザ素子100において、活性層105の上に、非晶質又は多結晶の窒化物系化合物半導体層からなる高抵抗層を成長させ、ウェットエッチングでストライプ状開口部120を形成して電流狭窄層108とする。或いはストライプ状部分を除いて第2クラッド層に荷電粒子を照射し、キャリアトラップを高密度に形成して高抵抗な電流狭窄層108とする。

Claim (excerpt)：

一対のクラッド層と、両クラッド層で挟まれた活性層と、該活性層の上方に電流通路となるストライプ状開口部を有して設けられた電流狭窄層とを有する窒化物系化合物半導体レーザ素子において、該電流狭窄層が非晶質又は多結晶の窒化物系化合物半導体層を加熱して結晶化させた高抵抗層からなる窒化物系化合物半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-235011 Applicant：ローム株式会社
半導体発光素子の光放出端面の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-208780 Applicant：ソニー株式会社
III-V族窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-031238 Applicant：株式会社豊田中央研究所

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