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J-GLOBAL ID：200903033392172778
光学反射率変化を用いる水素センサ、水素検出方法及び検出装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
須藤 政彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003314593
Publication number (International publication number)：2005083832
Application date： Sep. 05, 2003
Publication date： Mar. 31, 2005
Summary：
【課題】 水素化による表面の光学反射率の変化により水素濃度を検知できる水素センサ及び水素濃度検知方法を提供する。【解決手段】 水素を含んだ雰囲気に触れることで水素化して物性が変化する薄膜材料を用い、その光学反射率の変化をモニターすることにより水素の検知を行う水素センサであって、(1)上記薄膜材料が、マグネシウム・ニッケル合金薄膜もしくはマグネシウム薄膜である、(2)上記薄膜材料の上に触媒層が形成されている、(3)室温(20°C付近)で水素と反応して表面の光学反射率が変化する、ことを特徴とする水素センサ、該水素センサを使用した水素濃度の検出方法、及び検出装置。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
水素を含んだ雰囲気に触れることで水素化して物性が変化する薄膜材料を用い、その光学反射率の変化をモニターすることにより水素の検知を行う水素センサであって、
(1)上記薄膜材料が、マグネシウム・ニッケル合金薄膜もしくはマグネシウム薄膜である、
(2)上記薄膜材料の上に触媒層が形成されている、
(3)室温(20°C付近)で水素と反応して表面の光学反射率が変化する、
ことを特徴とする水素センサ。
IPC (3)：
G01N31/00
, G01N21/77
, G01N31/10
G01N31/00 C
, G01N21/77 A
, G01N31/10
2G042AA01
, 2G042BB02
, 2G042CB01
, 2G042DA07
, 2G042FA07
, 2G042FB07
, 2G042FC03
, 2G042FC06
, 2G042FC07
, 2G054AA01
, 2G054CA04
, 2G054EA05
, 2G054EB01
, 2G054GA05
, 2G054GB01
, 2G054GE06
Cited by examiner (7)
-
対水素反応素子およびそれを用いた水素検出装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2001-338157
Applicant：株式会社豊田中央研究所
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ガス検出装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平3-318738
Applicant：伊東謙太郎
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水素センサ
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平4-008936
Applicant：日本板硝子株式会社
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