窒化物半導体素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：豊栖康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999112909
Publication number (International publication number)：2000286509
Application date： Apr. 20, 1999
Publication date： Oct. 13, 2000
Summary：

【要約】【課題】多重量子井戸構造の活性層を用い種々の応用製品への適用範囲の拡大を可能とするため、発光出力がより向上し、静電耐圧が良好な窒化物半導体発光素子を提供することである。【解決手段】基板1上に、少なくともアンドープ窒化物半導体の下層5a、n型不純物ドープ窒化物半導体の中間層5b、及びアンドープ窒化物半導体の上層5cの少なくとも3層が順に積層されてなるn側第1多層膜層5を含み、前記活性層7が、In<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N(0≦a<1)を含んでなる多重量子井戸構造であり、更に、互いにバンドギャップエネルギーが異なり且つ互いにp型不純物濃度が異なる又は同一の第3と第4の窒化物半導体層とが積層されてなるp側多層膜クラッド層8、又はp型不純物を含みAl<SB>b</SB>Ga<SB>1-b</SB>N(0≦b≦1)よりなるp側単一膜クラッド層8を含む。

Claim (excerpt)：

基板上に、n側窒化物半導体層、活性層及びp側窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子において、前記n側窒化物半導体層が、アンドープの窒化物半導体からなる下層、n型不純物がドープされている窒化物半導体からなる中間層、及びアンドープの窒化物半導体からなる上層の少なくとも3層が順に積層されてなるn側第1多層膜層を含み、前記活性層が、In<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N(0≦a<1)を含んでなる多重量子井戸構造であり、更に、前記p側窒化物半導体層が、互いにバンドギャップエネルギーが異なり且つ互いにp型不純物濃度が異なる又は同一の第3と第4の窒化物半導体層とが積層されてなるp側多層膜クラッド層を含むことを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (3)：

H01S 5/343 , H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (3)：

H01S 3/18 677 , H01L 21/205 , H01L 33/00 C

F-Term (47)：

5F041AA04 , 5F041AA21 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041FF01 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF06 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB16 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045CA13 , 5F045DA53 , 5F045DA54 , 5F045DA55 , 5F045DA63 , 5F045EB15 , 5F045HA16 , 5F073AA71 , 5F073AA74 , 5F073BA09 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073DA05 , 5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-038259 Applicant：株式会社東芝
窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-322924 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体発光装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-155447 Applicant：京セラ株式会社

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