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J-GLOBAL ID：200903033448783309

半導体DNAセンシングデバイス及びDNAセンシング方法

Inventor：
逢坂 哲彌

About 逢坂 哲彌

, 
丹羽 大介

About 丹羽 大介

, 
本橋 紀和

About 本橋 紀和


Applicant, Patent owner：
学校法人早稲田大学

About 学校法人早稲田大学


Agent (3)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006057706
Publication number (International publication number)：2007232683
Application date： Mar. 03, 2006
Publication date： Sep. 13, 2007
Summary：
【解決手段】半導体上に反応ゲート絶縁部としてシリコン酸化物又は無機酸化物を含む第1の絶縁層が形成された電界効果型トランジスタの上記第1の絶縁層の上に、反応性官能基を有する有機分子で構成された第1の有機単分子膜を形成し、該第1の有機単分子膜に塩基数3〜35の短鎖プローブDNAを上記反応性官能基を介して、直接又は架橋分子を介して結合させてなる、プローブDNA/有機単分子膜/絶縁層/半導体構造を検出部として備える半導体DNAセンシングデバイス。【効果】本発明の半導体DNAセンシングデバイスは、オンチップでの高感度マイクロマルチDNAセンシングデバイスとして非常に効果的な半導体デバイスであり、これを用いた集積化デバイスは、一塩基多型等のミスマッチ配列のDNA解析を高精度に可能とするセンシング特性を有するものであり、高度な医療の提供・テーラーメード医療に有効である。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
半導体上に反応ゲート絶縁部としてシリコン酸化物又は無機酸化物を含む第1の絶縁層が形成された電界効果型トランジスタの上記第1の絶縁層の上に、反応性官能基を有する有機分子で構成された第1の有機単分子膜を形成し、該第1の有機単分子膜に塩基数3〜35の短鎖プローブDNAを上記反応性官能基を介して、直接又は架橋分子を介して結合させてなる、プローブDNA/有機単分子膜/絶縁層/半導体構造を検出部として備えることを特徴とする半導体DNAセンシングデバイス。
IPC (6)：
G01N 27/414 ,  H01L 29/78 ,  G01N 37/00 ,  G01N 27/00 ,  G01N 27/416 ,  G01N 33/53
FI (7)：
G01N27/30 301V ,  H01L29/78 301U ,  G01N27/30 301Y ,  G01N37/00 102 ,  G01N27/00 J ,  G01N27/46 386Z ,  G01N33/53 M
F-Term (24)：
2G060AA06 ,  2G060AC10 ,  2G060AE40 ,  2G060AF15 ,  2G060AG10 ,  2G060DA02 ,  2G060DA04 ,  2G060DA12 ,  2G060DA15 ,  2G060FA05 ,  2G060FA07 ,  2G060FA09 ,  2G060HC10 ,  2G060HC18 ,  2G060HD03 ,  2G060KA05 ,  5F140AA00 ,  5F140AC37 ,  5F140BA01 ,  5F140BD04 ,  5F140BF03 ,  5F140BF13 ,  5F140BF21 ,  5F140BF23
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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