真空処理装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (4)：鈴木正次 , 涌井謙一 , 山本典弘 , 鈴木一永
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004076168
Publication number (International publication number)：2005268396
Application date： Mar. 17, 2004
Publication date： Sep. 29, 2005
Summary：

【課題】真空反応室内をラジカルが通過する複数の貫通孔を持つ隔壁板を用いてプラズマ放電空間と基板処理空間とに分離し、プラズマ放電空間で発生させたラジカルを隔壁板の前記複数の貫通孔を通して基板処理空間に導入し、基板処理空間に配置されている基板に処理を行う装置において、隔壁板全体の交換に伴う装置のランニングコストの改善を図る。【解決手段】複数の貫通孔を備えている隔壁本体と、当該隔壁本体のプラズマ生成空間側に配置され、隔壁本体に備えられている前記貫通孔に対応する位置にラジカル通過孔を有する制御板とで隔壁板を形成して課題を解決した。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

真空反応室内をラジカルが通過する複数の貫通孔を持つ隔壁板を用いてプラズマ生成空間と基板処理空間とに分離し、プラズマ生成空間にガスを導入してプラズマによりラジカルを発生させ、このラジカルを前記隔壁板にある複数の貫通孔を通して基板処理空間に導入し、当該基板処理空間に配置されている基板に処理を行う装置において、複数の貫通孔を備えている隔壁本体と、当該隔壁本体のプラズマ生成空間側に配置され、当該隔壁本体に備えられている前記貫通孔に対応する位置にラジカル通過孔を有する制御板とで前記隔壁板が形成されていることを特徴とする真空処理装置。

IPC (2)：

H01L21/31 , C23C16/505

FI (2)：

H01L21/31 C , C23C16/505

F-Term (15)：

4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030BA44 , 4K030CA06 , 4K030EA03 , 4K030FA01 , 4K030LA15 , 5F045AA08 , 5F045AB32 , 5F045AC01 , 5F045AC11 , 5F045DP03 , 5F045EF05 , 5F045EH13 , 5F045EH18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

CVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-157692 Applicant：アネルバ株式会社
化学気相蒸着装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-076975 Applicant：エイペックスカンパニーリミテッド
薄膜形成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-190403 Applicant：アネルバ株式会社

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Cited by examiner (4)

化学気相蒸着装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-076975 Applicant：エイペックスカンパニーリミテッド
薄膜形成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-190403 Applicant：アネルバ株式会社
CVD装置及びCVD装置における成膜後の後処理工程を行う方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-066666 Applicant：アネルバ株式会社

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