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J-GLOBAL ID：200903062842451966

化学気相蒸着装置

Inventor：
金 宰 湖

About 金 宰 湖

, 
朴 相 俊

About 朴 相 俊


Applicant, Patent owner：
エイペックス カンパニー リミテッド

About エイペックス カンパニー リミテッド


Agent (1)： 恩田 博宣 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002076975
Publication number (International publication number)：2002294454
Application date： Mar. 19, 2002
Publication date： Oct. 09, 2002
Summary：
【要約】【課題】 基板及び回路素子の損傷をもたらさず、低温で速い蒸着速度を確保し、優れたステップカバレッジ及び膜質特性を有する薄膜を蒸着させる化学気相蒸着装置を提供すること。【解決手段】チャンバー300の上部には、外部のRF電源302と接続されるRF電源連結部303が設けられる。チャンバーの内部には、シャワーヘッド309の上面と一定の間隔だけ離間するようにRF電極板306が設けられる。RF電極板に印加されるRF電源により、RF電極板とシャワーヘッドの上面との間に区画された第1のバッファ部310でプラズマが発生する。上下に配置されたシャワーヘッド309、313の間の空間に第2のバッファ部316が区画される。第1のバッファ部から反応ガスを供給し、プラズマを発生させ、第2のバッファから原料ガスを供給する。
Claim (excerpt)：
下部に排気口が設けられたチャンバーと、該チャンバーの内部に工程ガスをそれぞれ供給する原料ガス注入管、反応ガス注入管及びパージガス注入管と、複数の噴射孔を有し、かつ、前記各注入管を通じて供給される工程ガスを噴射するシャワーヘッドと、該シャワーヘッドから噴射される工程ガスにより薄膜が蒸着される基板を保持するとともに、所定の熱源を提供するヒーターとを備えた化学気相蒸着装置において、前記チャンバーの上部には、外部のRF電源と接続されるRF電源連結部が設けられ、前記チャンバーの内部には、チャンバーの上部内側面から離間し、かつ、下方に位置する前記シャワーヘッドから離間するようにRF電極板が設けられ、前記外部のRF電源が前記RF電極板に供給されるように、前記RF電源連結部とRF電極板はRFロードにより相互接続され、前記RF電極板に印加されるRF電源により、前記RF電極板と前記シャワーヘッドとの間隙に設けられるバッファ部でプラズマが発生し、前記バッファ部の下部に位置する前記シャワーヘッドから反応ガスラジカルを基板に噴射することを特徴とする化学気相蒸着装置。
IPC (2)：
C23C 16/455 ,  H01L 21/205
FI (2)：
C23C 16/455 ,  H01L 21/205
F-Term (13)：
4K030EA05 ,  4K030FA03 ,  4K030JA03 ,  4K030KA12 ,  4K030KA22 ,  4K030KA25 ,  5F045EB02 ,  5F045EC07 ,  5F045EE06 ,  5F045EE19 ,  5F045EF05 ,  5F045EH18 ,  5F045EK05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 半導体処理リアクタ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-201143   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレーテッド
  • プラズマCVD装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-072695   Applicant：松下電器産業株式会社
  • 特開平2-114530
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