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J-GLOBAL ID：200903033651142661

シリコンウエーハの洗浄方法

Inventor： 則本 雅史 ,  原田 剛 ,  高田 涼子 ,  高石 和成
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 須田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999078993
Publication number (International publication number)：2000277473
Application date： Mar. 24, 1999
Publication date： Oct. 06, 2000
Summary：

【要約】【課題】 シリコンウェーハの加工により生じるピット等の微小欠陥のサイズを低減させる。シリコンウエーハ表面の微小領域における面荒れを抑制する。【解決手段】 シリコンウェーハを酸化する工程とこの酸化したシリコンウエーハを還元する工程を繰返し行う。シリコンウエーハの酸化を溶存オゾン水溶液に浸漬することにより行う。シリコンウエーハの還元をフッ酸又はフッ酸とカルボキシル基を含む有機酸若しくは有機酸塩の混合液に浸漬することにより行う。

Claim (excerpt)：

シリコンウェーハを酸化する工程と前記酸化したシリコンウエーハを還元する工程とを含むシリコンウエーハの洗浄方法。

IPC (4)：

H01L 21/304 641 ,  H01L 21/304 647 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/308

FI (4)：

H01L 21/304 641 ,  H01L 21/304 647 A ,  H01L 21/308 G ,  H01L 21/306 B

F-Term (4)：

5F043AA02 ,  5F043BB27 ,  5F043DD30 ,  5F043GG10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体ウェハの洗浄方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-294374   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-135029   Applicant：株式会社東芝
• 半導体基板の洗浄方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-005611   Applicant：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社