光半導体装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：森哲也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002148020
Publication number (International publication number)：2003347673
Application date： May. 22, 2002
Publication date： Dec. 05, 2003
Summary：

【要約】【課題】電流増加に伴う一次モードの発振を抑制することで、キンクレベルを上昇させ、利用可能な最大光出力を向上させることを可能とした光半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 GaAs基板10上に、AlGaAs下部クラッド層1及びAlGaAs下部光閉じ込め層2からなる第一半導体層20と、InGaAs活性層30と、AlGaAs上部光閉じ込め層3及びAlGaAs上部クラッド層4からなる第二半導体層40とが順次積層され、このAlGaAs上部クラッド層4の上面にリッジ部4Aが形成されてなる半導体レーザ100において、リッジ部4Aの厚みh1と、第二半導体層40の厚みh2との比(h1/h2)が0.5よりも小さくなるように形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に、第一半導体層と、活性層と、第二半導体層とが順次積層され、当該第二半導体層の上面にリッジ部が形成されてなる光半導体装置であって、前記リッジ部の積層方向厚みh1と、前記第二半導体層の積層方向厚みh2との比(h1/h2)が、1よりも小さくなっていることを特徴とする光半導体装置。

F-Term (7)：

5F073AA11 , 5F073AA13 , 5F073AA45 , 5F073CA07 , 5F073DA05 , 5F073DA35 , 5F073EA16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平4-296076
半導体レーザー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-288962 Applicant：松下電器産業株式会社
リッジ導波路型半導体レーザダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-143524 Applicant：古河電気工業株式会社

Show all

Return to Previous Page