Pat

J-GLOBAL ID：200903092102297480

リッジ導波路型半導体レーザダイオード

Inventor： 大久保 典雄 ,  粕川 秋彦 ,  池上 嘉一 ,  行谷 武
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Agent (1)： 稲垣 清 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996143524
Publication number (International publication number)：1997307184
Application date： May. 14, 1996
Publication date： Nov. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】 非常に高い光出力まで、光出力/注入電流特性が線形関係を維持するリッジ導波路型半導体レーザダイオードを提供する。【解決手段】 本半導体レーザダイオードは、クラッド層のうちの所定厚さ部分をメサ構造とし、残りの厚さDのクラッド層を活性層上全面に積層させたリッジ導波路型本半導体レーザダイオードであル。本ダイオードは、活性層22〜26に対して垂直方向の近視野像の強度が1/e2 であるスポットサイズの幅をWとするとき、Dが、0.5×W≦Dを満足するような残り厚さを活性層全面に積層されたクラッド層28〜34を有する。

Claim (excerpt)：

クラッド層のうちの所定厚さ部分をメサ構造とし、残りの厚さDのクラッド層を活性層上全面に積層させてなるリッジ導波路型半導体レーザダイオードにおいて、活性層に対して垂直方向の近視野像の強度が1/e2 であるスポットサイズの幅をWとするとき、Dが、D≧W×0.5を満足するような残り厚さDを活性層全面に積層されたクラッド層が有することを特徴とするリッジ導波路型半導体レーザダイオード。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体レーザ素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-093808   Applicant：古河電気工業株式会社
• 半導体レーザ素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-188521   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-348149   Applicant：古河電気工業株式会社