半導体光デバイス装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：釜田淳爾 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000044287
Publication number (International publication number)：2000340891
Application date： Feb. 22, 2000
Publication date： Dec. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】リッジの形状やリッジを構成する半導体層の混晶組成(格子定数、屈折率など)の制御性や再現性が良好で、かつレーザ特性が安定しておりレーザ動作の信頼性が高い半導体発光素子を提供すること。【解決手段】基板上に、活性層を含む化合物半導体層、該化合物半導体層の上に形成された開口部を有する保護膜、該開口部を覆うように形成された前記活性層より屈折率が小さいリッジ型の化合物半導体層、および該リッジ型の化合物半導体層の上に形成された電極を少なくとも有し、前記活性層を含む化合物半導体層中にIn混晶組成が5%以上である層を有し、前記リッジ型化合物半導体層のIn混晶組成が10%以下であることを特徴とする半導体光デバイス装置。

Claim (excerpt)：

基板上に、活性層を含む化合物半導体層、該化合物半導体層の上に形成された開口部を有する保護膜、該開口部を覆うように形成された前記活性層より屈折率が小さいリッジ型の化合物半導体層、および該リッジ型の化合物半導体層の上に形成された電極を少なくとも有し、前記活性層を含む化合物半導体層中にIn混晶組成が5%以上である層を有し、前記リッジ型化合物半導体層のIn混晶組成が10%以下であることを特徴とする半導体光デバイス装置。

IPC (2)：

H01S 5/227 , H01S 5/323

FI (2)：

H01S 5/227 , H01S 5/323

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体レーザ装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-058780 Applicant：株式会社東芝
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-233179 Applicant：ローム株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-029946 Applicant：シャープ株式会社

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