量子ドット発光素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：福田賢三 , 福田伸一 , 福田武通
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003128269
Publication number (International publication number)：2004335665
Application date： May. 06, 2003
Publication date： Nov. 25, 2004
Summary：

【課題】InAs量子ドットを用いて長波長化することと、閉じ込め障壁が緩慢になることを防止することにより、伝送損の少ない領域でレーザ発振し、また、発光に寄与しない電流を抑制して発光効率を改善することができる量子ドット発光素子を提供する。【解決手段】GaAs領域3に成長したInAs量子ドット6と、InAs量子ドット6に接して設けたGaAsSb歪緩和層7と、このGaAsSb歪緩和層7に接して設けたGaAs領域8からなる活性領域をもつ構成とする。また、InGaAs量子ドット6と、InGaAs量子ドット6に接して設けたGaAsSb歪緩和層7としてもよく、組成をGaAs1-ySbyとするとき、0.1<y<0.7となるように構成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

GaAs領域に成長したInAs量子ドットと、前記InAs量子ドットに接して設けたGaAsSb歪緩和層と、このGaAsSb歪緩和層に接して設けたGaAs領域からなる活性領域をもつことを特徴とする量子ドット発光素子。

IPC (3)：

H01S5/343 , C23C14/06 , H01L21/203

FI (3)：

H01S5/343 , C23C14/06 L , H01L21/203 M

F-Term (22)：

4K029AA04 , 4K029AA24 , 4K029BA41 , 4K029BB02 , 4K029BD00 , 4K029CA01 , 4K029EA08 , 4K029GA01 , 5F073AA72 , 5F073CA02 , 5F073CA03 , 5F073CB07 , 5F073DA06 , 5F073DA35 , 5F073EA23 , 5F103AA04 , 5F103DD01 , 5F103GG01 , 5F103HH03 , 5F103LL03 , 5F103NN01 , 5F103RR05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

波長変換装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-136608 Applicant：富士通株式会社
量子ドットを備えた素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-371061 Applicant：富士通株式会社
半導体量子ドット素子の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-290370 Applicant：富士通株式会社

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