気相成長方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：矢口平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994301152
Publication number (International publication number)：1996162417
Application date： Dec. 05, 1994
Publication date： Jun. 21, 1996
Summary：

【要約】【目的】成膜温度の低温化をもたらす新たな窒素源による窒素含有III -V族化合物半導体薄膜の気相成長方法を提供する。【構成】少なくとも1個の窒素原子と少なくとも1つの環状構造を有する化合物、若しくはヘテロ原子として少なくとも1個の窒素原子を含む複素環式化合物、又はヘテロ原子としての少なくとも1個の窒素原子と少なくとも1個の二重結合を含む複素環式化合物を窒素源として気相成長させる。また、ガラス材料若しくは金属材料からなる基板上に直接気相成長させた含窒素III -V族化合物半導体を提供できる。【効果】成膜プロセスの低温化が達成されるので表面モホロジーの悪化を避けることができる。

Claim (excerpt)：

含窒素III -V族化合物半導体の気相成長方法において、少なくとも1個の窒素原子と少なくとも1つの環状構造を有する化合物を窒素の供給源とすることを特徴とする含窒素III -V族化合物半導体の気相成長方法。

IPC (4)：

H01L 21/205 , C23C 16/34 , C30B 25/02 , C30B 29/40 502

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平3-080198
化合物半導体膜の気相成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-102385 Applicant：株式会社東芝
特開平2-304092

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