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J-GLOBAL ID：200903033849178068
スパッタリング用チタンターゲット組立体の製造方法およびスパッタリング用チタンターゲット組立体
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大場 充
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996323431
Publication number (International publication number)：1997209136
Application date： Nov. 19, 1996
Publication date： Aug. 12, 1997
Summary：
【要約】【課題】 パーティクルの発生が少なく、方向の揃ったスパッタ粒子を放出することが可能であるチタンとバッキングプレートの接合ターゲットを効率良く得る。【解決手段】 冷間加工を施したチタン素材と、アルミニウムを主体とするバッキングプレート部材とを接触させた状態で、加熱を伴う静水圧プレス処理を行なう。この静水圧プレス処理においてチタン素材とバッキングプレート部材とを拡散接合させるとともに、チタン素材の再結晶化を行なう。静水圧プレスの条件は、好ましくは300〜450°C、圧力 50〜200MPaとする。また、チタン素材には予め6Sから12Sの粗面化処理を行なっておくことが望ましい。
Claim (excerpt)：
冷間加工を施したチタン素材と、アルミニウムを主体とするバッキングプレート部材とを接触させた状態で、加熱を伴う静水圧プレス処理を行い、該静水圧プレス処理によりチタン素材とバッキングプレート部材とを拡散接合するとともに、チタン素材の再結晶化を行ない、再結晶組織を有するチタンよりなるターゲット材とバッキングプレートとが拡散接合した組立体を得ることを特徴とするスパッタリング用チタンターゲット組立体の製造方法。
IPC (5)：
C23C 14/34
, B23K 20/00 310
, C23C 14/14
, H01L 21/285
, H01L 21/203
C23C 14/34 C
, B23K 20/00 310 L
, C23C 14/14 D
, H01L 21/285 S
, H01L 21/203 S
