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J-GLOBAL ID：200903033856267157

窒化物系化合物半導体ウエハ、および窒化物系化合物半導体素子、ならびに窒化物系化合物半導体結晶の成長方法

Inventor： 古屋 貴士 ,  柴田 真佐知 ,  木原 倫夫
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 平田 忠雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999218468
Publication number (International publication number)：2001044126
Application date： Aug. 02, 1999
Publication date： Feb. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】 再成長結晶の表面が平滑な窒化物系化合物半導体ウエハと、これに基づいた半導体素子、およびこれらを得るための窒化物系化合物半導体結晶の成長方法を提供する。【解決手段】 サファイア1の上にGaNの成長層2を成長させ、この成長層2の上にGaN等の窒化物系化合物半導体層を再成長させるに際して、成長層2上への原料ガスの送り込みを窒化物系化合物半導体層の再成長温度よりも低い温度から開始する。

Claim (excerpt)：

基板の上に形成された窒化物系化合物半導体の成長層の上に窒化物系化合物半導体層を有機金属化学気相堆積法により再成長させた窒化物系化合物半導体ウエハにおいて、前記成長層と前記窒化物系化合物半導体層の間に、前記窒化物系化合物半導体層の成長温度より低温で成長させた第2の窒化物系化合物半導体層を有することを特徴とする窒化物系化合物半導体ウエハ。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

F-Term (24)：

5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF09 ,  5F045BB07 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045CA10 ,  5F045DA52 ,  5F045EE18 ,  5F045EK28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 単結晶III-V族化合物半導体層の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-184740   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平4-297023
  
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-061015   Applicant：富士通株式会社
• 特開平4-187597
  
• 窒化ガリウム結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-090673   Applicant：松下電子工業株式会社
• 窒化物系化合物半導体の成長方法及び半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-187210   Applicant：株式会社日立製作所