半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995061015
Publication number (International publication number)：1996264455
Application date： Mar. 20, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】導電性及び劈開性を有するSiC基板上にGaN系の化合物半導体層を形成する技術を提供する。【構成】上面を有するSiC基板を準備する工程と、前記SiC基板の温度を第1の温度から、該第1の温度よりも300°C以上高い第2の温度まで徐々に上昇させながら、前記SiC基板の上面にGa1-x-y Alx Iny N層(0≦x≦0.2、0≦y≦0.3)を堆積する工程と、前記SiC基板の温度を前記第2の温度に維持したまま、前記Ga1-x-y Alx Iny N層の上に他のGa1-i-jAli Inj N層(0≦i≦0.2、0≦j≦0.3)を堆積する工程とを含む。

Claim (excerpt)：

上面を有するSiC基板を準備する工程と、前記SiC基板の温度を第1の温度から、該第1の温度よりも300°C以上高い第2の温度まで徐々に上昇させながら、前記SiC基板の上面にGa1-x-y Alx Iny N層(0≦x≦0.2、0≦y≦0.3)を堆積する工程と、前記SiC基板の温度を前記第2の温度に維持したまま、前記Ga1-x-y Alx Iny N層の上に他のGa1-i-j Ali Inj N層(0≦i≦0.2、0≦j≦0.3)を堆積する工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 , H01L 29/20

FI (2)：

H01L 21/205 , H01L 29/20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

シリコン基板上の化合物半導体の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-343790 Applicant：新日本製鐵株式会社
特開平4-242985
ヘテロエピタキシャル成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-083913 Applicant：富士通株式会社

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ヘテロエピタキシャル成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-083913 Applicant：富士通株式会社
シリコン基板上の化合物半導体の成長方法
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特開平4-242985

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