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J-GLOBAL ID：200903033880807731

化合物半導体発光素子及びその製造方法

Inventor：
山路 太平

About 山路 太平

, 
野口 幸治

About 野口 幸治


Applicant, Patent owner：
星和電機株式会社

About 星和電機株式会社


Agent (1)： 河野 登夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001205360
Publication number (International publication number)：2003023180
Application date： Jul. 05, 2001
Publication date： Jan. 24, 2003
Summary：
【要約】【課題】 絶縁性の基板の表側に化合物半導体層が積層されて基板の裏側にボンディング電極を備える化合物半導体発光素子において、生産性を向上させることができる化合物半導体発光素子、及びその製造方法を提供する。【解決手段】 化合物半導体発光素子の端に当たる部分にて、表側の面から側面にかけて切り欠き溝が形成されており、切り欠き溝に接する内側の部分にあるn型層21から切り欠き溝にかけて、表側導電膜41が形成されている。基板1の裏側から側面にかけて、裏側導電膜42が形成されており、表側導電膜41に接続されている。表側導電膜41はn型層21へのオーミック電極をなし、裏側導電膜42は基板1の裏側にてボンディング電極をなしている。ウエハの状態でハーフカットにより切り欠き溝を作成して表側導電膜41を形成し、分離した複数のチップを粘着シートに貼りつけて一括して裏側導電膜42を形成する。
Claim (excerpt)：
絶縁性の基板の片側に複数の化合物半導体層を積層して形成された化合物半導体発光素子において、複数の化合物半導体層が積層されている表側から側面にかけて形成され、少なくとも一つの化合物半導体層に接続された導電膜と、化合物半導体層が積層されていない裏側から側面にかけて形成された導電膜とを備え、双方の導電膜が互いに接続されていることを特徴とする化合物半導体発光素子。
IPC (3)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/042 612 ,  H01S 5/323 610
FI (5)：
H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 N ,  H01S 5/042 612 ,  H01S 5/323 610
F-Term (18)：
5F041AA03 ,  5F041AA42 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA83 ,  5F041CA85 ,  5F041CA98 ,  5F041CA99 ,  5F041CB03 ,  5F041CB15 ,  5F073AA04 ,  5F073CA01 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA30 ,  5F073DA34
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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