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J-GLOBAL ID：200903081263258911

窒化物半導体発光チップ

Inventor：
豊田 達憲

About 豊田 達憲


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Agent (1)： 豊栖 康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999261938
Publication number (International publication number)：2001085750
Application date： Sep. 16, 1999
Publication date： Mar. 30, 2001
Summary：
【要約】【課題】 発光層に均一に電流を注入することができ、発光効率を向上させることの可能な窒化物半導体発光チップを提供する。【解決手段】 基板上に順次形成されたn型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層を有する窒化物半導体発光チップを、基板側を下側にし導電性材料を介してリード電極上部の支持部に接合する実装方法に用いる窒化物半導体発光チップにおいて、第1負電極をn型窒化物半導体層12の外周側壁から基板11の裏面に渡って囲むように連続して形成し、リード電極からn型窒化物半導体層12に通電可能とした。
Claim (excerpt)：
基板上にn型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層とを積層して形成される窒化物半導体発光チップを、基板側を下側にし導電性材料を介してリード電極上部の支持部に接合する実装方法に用いる窒化物半導体発光チップにおいて、上記窒化物半導体発光チップが、上記n型窒化物半導体層の外周側壁から上記基板の裏面に渡って囲むように第1負電極が連続して形成され、上記リード電極から上記n型窒化物半導体層に通電可能な窒化物半導体発光チップ。
FI (2)：
H01L 33/00 N ,  H01L 33/00 C
F-Term (15)：
5F041AA03 ,  5F041CA02 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041DA02 ,  5F041DA12 ,  5F041DA17
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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