成膜方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：浅井章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000361899
Publication number (International publication number)：2002164345
Application date： Nov. 28, 2000
Publication date： Jun. 07, 2002
Summary：

【要約】【課題】低温でも、膜厚の面内均一性が非常に高くて表面粗さは非常に小さく、しかも電気的特性が良好な薄い膜厚のタンタル酸化膜を精度良く形成することができる成膜方法を提供する。【解決手段】処理容器20内の被処理体Wの表面に、原料ガスと酸化剤ガスとを用いてタンタル酸化膜を形成する成膜方法において、前記被処理体の表面に前記酸化剤ガスを付着させる酸化剤付着工程と、前記付着された酸化剤ガスに対して前記原料ガスを作用させてタンタル酸化膜を形成する反応工程とをこの順序で複数回繰り返し行うようにする。これにより、低温でも、膜厚の面内均一性が非常に高くて表面粗さは非常に小さく、しかも電気的特性が良好な薄い膜厚のタンタル酸化膜を精度良く形成する。

Claim (excerpt)：

処理容器内の被処理体の表面に、原料ガスと酸化剤ガスとを用いてタンタル酸化膜を形成する成膜方法において、前記被処理体の表面に前記酸化剤ガスを付着させる酸化剤付着工程と、前記付着された酸化剤ガスに対して前記原料ガスを作用させてタンタル酸化膜を形成する反応工程とをこの順序で複数回繰り返し行うようにしたことを特徴とする成膜方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 , C23C 16/40 , H01L 21/31

FI (3)：

H01L 21/316 X , C23C 16/40 , H01L 21/31 B

F-Term (36)：

4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA42 , 4K030CA04 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 4K030JA10 , 4K030LA15 , 5F045AA03 , 5F045AA15 , 5F045AB31 , 5F045AC07 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AE19 , 5F045BB02 , 5F045BB16 , 5F045DC61 , 5F045DP19 , 5F045EE02 , 5F045EE14 , 5F045EE18 , 5F045EE19 , 5F045EF02 , 5F045EG05 , 5F045EK06 , 5F045EM10 , 5F045EN05 , 5F058BC03 , 5F058BD05 , 5F058BF29 , 5F058BF54 , 5F058BF62 , 5F058BF63 , 5F058BG02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

成膜方法及び成膜装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-370667 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝
特開平1-179423
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-277546 Applicant：三菱電機株式会社

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Cited by examiner (1)

成膜方法及び成膜装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-370667 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝

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