成膜方法及び成膜装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：浅井章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000370667
Publication number (International publication number)：2001338922
Application date： Dec. 05, 2000
Publication date： Dec. 07, 2001
Summary：

【要約】【課題】低温でも膜厚の面内均一性が高い薄い膜厚のタンタル酸化膜を精度良く形成することができる成膜方法を提供する。【解決手段】被処理体Wの表面にタンタル酸化膜52を形成するに際して、まず、被処理体の表面全体に水蒸気等の酸化剤を均一に付着させる。次に、例えばPET(ペンタエトキシタンタル)ガスよりなる原料ガスを供給して上記水蒸気と反応させることにより、非常に薄い膜厚が均一なタンタル酸化膜よりなる界面層50を形成し、引き続いて原料ガスに加えて酸素を流して本来のタンタル酸化膜を界面層上に堆積させる。これにより、低温でも膜厚が薄くて面内均一性が高いタンタル酸化膜を形成する。

Claim (excerpt)：

処理室内の被処理体の表面に、原料ガスを用いてタンタル酸化膜を形成する成膜方法において、前記被処理体の表面に予め酸化剤を付着させる酸化剤付着工程と、前記付着された酸化剤に対して原料ガスを流してタンタル酸化膜を堆積させる成膜工程とを有することを特徴とする成膜方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 , C23C 16/40 , H01L 21/31

FI (3)：

H01L 21/316 X , C23C 16/40 , H01L 21/31 B

F-Term (41)：

4K030AA01 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030AA17 , 4K030BA17 , 4K030BA42 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA02 , 5F045AA20 , 5F045AB31 , 5F045AC07 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AD06 , 5F045AD08 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045BB02 , 5F045BB07 , 5F045DP19 , 5F045DQ05 , 5F045EB13 , 5F045EE12 , 5F045EF02 , 5F045EF08 , 5F045EK06 , 5F045HA01 , 5F045HA22 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BE10 , 5F058BF04 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BH02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

特開昭62-113430
特開平4-145623
金属酸化膜の形成方法及び成膜処理システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-204502 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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Cited by examiner (4)

特開昭62-113430
特開平4-145623
金属酸化膜の形成方法及び成膜処理システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-204502 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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