絶縁膜の成膜方法及びその成膜装置

Inventor： , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：北村欣一 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000063659
Publication number (International publication number)：2001250823
Application date： Mar. 08, 2000
Publication date： Sep. 14, 2001
Summary：

【要約】【課題】量産に適した、コンタミの少ない、組成制御された、ち密で、欠陥、粒界の極めて少ない、深さ方向に構造制御された、良好な絶縁特性を持つ絶縁膜の提供。【解決手段】 Al、Si、Ta、又はTiを含む気体状分子を基板表面に供給し、これを吸着させた後、余った分子を排気する工程と、O、N、及びFから選ばれた少なくとも1種を含む気体状分子を単独で又は組み合わせて基板表面に供給し、これを先の工程で吸着していた分子の上に吸着させた後、余った分子を排気する工程とを含み、各工程で吸着した分子間で化学反応を生じさせて、絶縁膜を形成する。

Claim (excerpt)：

Al、Si、Ta、又はTiを含む気体状分子を基板表面に供給し、吸着させた後排気する工程と、O、N及びFから選ばれた少なくとも1種を含む気体状分子を単独で又は組み合わせて該基板表面に供給し、吸着させた後排気する工程とを含むことを特徴とする絶縁膜の成膜方法。

IPC (2)：

H01L 21/318 , H01L 21/31

FI (2)：

H01L 21/318 C , H01L 21/31 B

F-Term (35)：

5F045AA06 , 5F045AA15 , 5F045AB31 , 5F045AB34 , 5F045AC02 , 5F045AC08 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AD04 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045BB04 , 5F045BB16 , 5F045BB17 , 5F045EB08 , 5F045EB13 , 5F045EE14 , 5F045EG01 , 5F045EG03 , 5F045EG05 , 5F045EG08 , 5F045EN04 , 5F058BA06 , 5F058BC11 , 5F058BC20 , 5F058BE01 , 5F058BF04 , 5F058BF24 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF34 , 5F058BF37 , 5F058BG02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

原子層蒸着法を用いた薄膜製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-034413 Applicant：三星電子株式会社
特開平1-179423
酸化処理方法および酸化処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-225492 Applicant：東京エレクトロン株式会社

Show all

Cited by examiner (5)

原子層蒸着法を用いた薄膜製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-034413 Applicant：三星電子株式会社
特開平1-179423
特開平1-179423

Show all

Return to Previous Page