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J-GLOBAL ID：200903033949200575

位相シフタ自動生成方法および装置並びにそれを用いて設計されたマスクで製造された半導体デバイス

Inventor：
中上 京治

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酒見 淳也

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寺澤 恒男

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茂庭 明美

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Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

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日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社

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Agent (1)： 磯村 雅俊
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995127913
Publication number (International publication number)：1996320550
Application date： May. 26, 1995
Publication date： Dec. 03, 1996
Summary：
【要約】【目的】 凹領域を含む所望の設計パターンである実パターンに対して、アウトリガ型と称される位相シフト露光方法用のマスクパターン設計における補助パターンと位相シフタパターンを自動的に生成すること。【構成】 実パターン、補助パターンと位相シフタパターンから成る位相シフト露光方法用のマスクパターン設計において、周辺に補助パターンを必要とする実パターンの細線部分パターンを規定する線幅(Bc)と所望される実パターンと補助パターンとの距離(L1),補助パターンの線幅(Bs),補助パターン間の最小距離(L2),補助パターンと位相シフタパターンの合わせ余裕(La)をパラメタとして、実パターンを基に補助パターンと位相シフタパターンを自動的に生成するものである。
Claim (excerpt)：
実パターンを基に補助パターンと位相シフタパターンを生成する位相シフト露光方法用のマスクパターン生成において、周辺に補助パターンを必要とする実パターンの細線部分パターンを規定する線幅(Bc)と、所望される実パターンと補助パターンとの距離(L1),補助パターンの線幅(Bs),補助パターン間の最小距離(L2),補助パターンと位相シフタパターンの合わせ余裕(La)をパラメタとして入力する工程と、所望の設計開口パターンである実パターンを入力する工程と、実パターンから線幅Bc以下の細線部分パターンの周辺に補助パターンを生成する工程と、実パターンの図形間領域の内、スペース領域幅が2×L1+Bsより大きく2×(L1+Bs)+L2以下の領域を抽出し、この領域上に補助パターンを生成する工程と、実パターンの図形間領域の内、スペース領域幅が2×L1+Bs以下の領域を抽出し、この領域上に補助パターンを生成する工程と、生成された補助パターンをLaだけ拡大し、位相シフタパターンを生成する工程を含むことを特徴とする位相シフタ自動生成方法。
IPC (3)：
G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027
FI (5)：
G03F 1/08 A ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 515 F ,  H01L 21/30 528
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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