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J-GLOBAL ID：200903033990760560

チタン膜窒化方法及び半導体装置

Inventor：
占部 耕児

About 占部 耕児


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 開口 宗昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999085407
Publication number (International publication number)：2000277459
Application date： Mar. 29, 1999
Publication date： Oct. 06, 2000
Summary：
【要約】【課題】 半導体基板にチタン膜を堆積し,そのチタン膜を窒化する工程で発生するパーティクルを確実に低減させ,半導体装置が正常に動作するチタン膜窒化方法及び半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 チャンバー内に半導体基板を設置し,その半導体基板上にTi膜を堆積し,次いでチャンバー内に実質的にH2気体とNH3気体とAr気体のみを導入しプラズマ窒化法により,Ti膜を窒化することによる。
Claim (excerpt)：
チャンバー内に半導体基板を設置し,その半導体基板上にTi膜を堆積し,次いでチャンバー内に実質的にH2気体とNH3気体とAr気体のみを導入しプラズマ窒化法により,Ti膜を窒化することを特徴とするチタン膜窒化方法。
IPC (6)：
H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  C23C 14/06 ,  C23C 16/14 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/3205
FI (6)：
H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/285 C ,  C23C 14/06 A ,  C23C 16/14 ,  C23C 16/50 B ,  H01L 21/88 M
F-Term (26)：
4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA17 ,  4K029BA60 ,  4K029CA04 ,  4K029CA13 ,  4K029DD02 ,  4K030AA03 ,  4K030AA16 ,  4K030BA18 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030FA03 ,  4K030KA20 ,  4M104BB30 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104DD86 ,  5F033HH33 ,  5F033PP04 ,  5F033PP12 ,  5F033QQ90 ,  5F033QQ98 ,  5F033WW04 ,  5F033XX00
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (5)
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