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J-GLOBAL ID：200903074475863908

バリア膜の形成方法

Inventor：
大下 祥雄

About 大下 祥雄


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 松浦 兼行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996120436
Publication number (International publication number)：1997306870
Application date： May. 15, 1996
Publication date： Nov. 28, 1997
Summary：
【要約】【課題】 TiCl4/NH3ガス系を用いたCVD法によりTiN薄膜を堆積させた場合、膜中にClが残留する。また、上記のCVD法により得られるTiN膜は柱状構造を有しているため、Cuに対するバリア性が低い。【解決手段】 酸化膜中にトレンチが形成されたシリコン基板2を基板保持部3上に保持し、チャンバー1の内部を真空ポンプ17で排気した後、基板加熱機構4により基板2を加熱する。基板温度が安定した後、NH3ガスをバルブ12を開けて供給する。次に、バルブ10とバルブ14を開け、TiCl4とB2H6をシャワーヘッド15より供給し、Bを含むTiN膜を基板2のトレンチに堆積させる。B2H6の強い還元性によりTiN膜中の残留塩素濃度が少量で、また、膜中にBが添加された結果、膜の構造が柱状からアモルファスに変化し、配線材料として銅を使用した場合にも十分なバリア性を示す。
Claim (excerpt)：
接続孔の底面及び側面に、構成元素として窒素を含むガス及び四塩化チタンを原料ガスとして使用した化学気相成長法により窒化チタン膜によるバリア膜を成長させる方法であって、前記原料ガスと共にジボランガスを供給し、前記接続孔の底面及び側面に、ホウ素を含む窒化チタン膜によるバリア膜を堆積することを特徴とするバリア膜の形成方法。
IPC (3)：
H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3205
FI (3)：
H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/88 R
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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