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J-GLOBAL ID：200903034001945561

超伝導フィルタおよびその製造方法

Inventor：
榊原 伸義

About 榊原 伸義


Applicant, Patent owner：
株式会社移動体通信先端技術研究所

About 株式会社移動体通信先端技術研究所


Agent (1)： 伊藤 洋二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998194689
Publication number (International publication number)：2000031771
Application date： Jul. 09, 1998
Publication date： Jan. 28, 2000
Summary：
【要約】【課題】 誘電体基板のサイズを大きくすることなく共振周波数を低くする。【解決手段】 誘電体基板1の上に接地用超伝導薄膜2を形成し、この接地用超伝導薄膜2の上に誘電体薄膜3を形成し、この誘電体薄膜3の上に超伝導薄膜をパターニングして共振器4a〜4eを形成する。このように共振器4a〜4eと接地用超伝導薄膜2間の誘電体薄膜3によってコンデンサを形成することにより、誘電体基板によってコンデンサを形成した従来のものに比べて、その容量を大きくすることができ、共振周波数を低くすることができる。
Claim (excerpt)：
誘電体基板(1)と、前記誘電体基板(1)の上に形成された接地用超伝導薄膜(2)と、前記接地用超伝導薄膜(2)の上に形成された誘電体薄膜(3)と、前記誘電体薄膜(3)の上に超伝導薄膜をパターニングして形成された共振器(4a〜4e、41)とを備えたことを特徴とする超伝導フィルタ。
IPC (6)：
H03H 7/01 ZAA ,  H01L 39/00 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA ,  H01P 1/20 ZAA ,  H03H 3/00 ZAA ,  H03H 5/02 ZAA
FI (6)：
H03H 7/01 ZAA A ,  H01L 39/00 ZAA Z ,  H01L 39/24 ZAA F ,  H01P 1/20 ZAA Z ,  H03H 3/00 ZAA ,  H03H 5/02 ZAA
F-Term (10)：
4M113AC44 ,  4M113AD42 ,  4M113AD62 ,  4M113AD67 ,  5J006JA00 ,  5J024AA01 ,  5J024DA05 ,  5J024DA29 ,  5J024DA33 ,  5J024DA35
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 特開平4-196601
  • 誘電体多層基板集積回路
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-114241   Applicant：ティーディーケイ株式会社
  • 誘電体フィルタの電極形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-193914   Applicant：日本特殊陶業株式会社
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