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J-GLOBAL ID：200903034111164832

薄膜トランジスタとその製造方法及びそれを用いた液晶表示装置とその製造方法

Inventor：
小川 一文

About 小川 一文

, 
足立 和泰

About 足立 和泰


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999046228
Publication number (International publication number)：2000243970
Application date： Feb. 24, 1999
Publication date： Sep. 08, 2000
Summary：
【要約】【課題】 多結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタを駆動回路部に使用する液晶表示装置において、大画面の表示の際に駆動回路に問題点が生じない高性能な薄膜トランジスタ及びそれを用いた液晶表示装置を提供することを主たる目的とする。【解決手段】 透明な絶縁性基板11上に形成された多結晶シリコン薄膜を能動領域とする薄膜トランジスタにおいて、多結晶シリコン薄膜の結晶粒が面内において特定の方向に異方性成長させてシリコンの結晶粒を細長い形状に成長させるとともに、薄膜トランジスタのゲート長方向を前記結晶粒の長手方向とほぼ平行になるように作製し、TFTの能動領域内(チャネル内)のキャリアの移動度を向上させる。
Claim (excerpt)：
透明な絶縁性基板上に形成された多結晶シリコン薄膜を能動領域とする薄膜トランジスタであって、前記多結晶シリコン薄膜の結晶粒が面内において特定の方向に異方性成長されており、かつ、薄膜トランジスタのゲート長方向と前記結晶粒の長手方向がほぼ平行であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (5)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268
FI (5)：
H01L 29/78 627 G ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 F ,  H01L 29/78 612 B
F-Term (53)：
2H092JA25 ,  2H092JA29 ,  2H092JA38 ,  2H092JA42 ,  2H092JA44 ,  2H092JA46 ,  2H092JB13 ,  2H092JB23 ,  2H092JB32 ,  2H092JB33 ,  2H092JB51 ,  2H092JB57 ,  2H092JB63 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092MA07 ,  2H092MA08 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA16 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA20 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092MA41 ,  2H092NA22 ,  2H092NA24 ,  2H092NA25 ,  2H092PA06 ,  5F052AA02 ,  5F052BA04 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052FA00 ,  5F052JA01 ,  5F052JA10 ,  5F110AA01 ,  5F110BB02 ,  5F110CC01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG16 ,  5F110GG45 ,  5F110PP03 ,  5F110PP24
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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