半導体の形成方法および半導体素子

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宮園博一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002030772
Publication number (International publication number)：2003234502
Application date： Feb. 07, 2002
Publication date： Aug. 22, 2003
Summary：

【要約】【課題】基板と半導体層との間に発生する応力を緩和しながら、格子定数差に起因する格子欠陥が低減された半導体層を形成することが可能な窒化物系半導体の形成方法を提供する。【解決手段】この半導体の形成方法は、Si基板1上の少なくとも一部に、立方晶のペロブスカイト構造、立方晶の鉄マンガン鉱構造、立方晶の酸化物からなるCaF2構造、および、六方晶の鉄マンガン鉱構造のうちの1つの構造を有する材料からなる多結晶または単結晶の材料を含む第1バッファ層2を形成する工程と、第1バッファ層2上に、窒化物系半導体各層(4〜9)を形成する工程とを備えている。

Claim (excerpt)：

基板上の少なくとも一部に、立方晶のペロブスカイト構造、立方晶の鉄マンガン鉱構造、立方晶の酸化物からなるCaF2構造、および、六方晶の鉄マンガン鉱構造のうちの1つの構造を有する材料からなる多結晶または単結晶の材料を含む第1バッファ層を形成する工程と、前記第1バッファ層上に、窒化物系半導体層または前記基板よりも熱膨張係数が大きい結晶構造が六方晶である半導体層を形成する工程とを備えた、半導体の形成方法。

IPC (4)：

H01L 33/00 , C23C 16/34 , H01L 21/205 , H01S 5/343 610

FI (4)：

H01L 33/00 C , C23C 16/34 , H01L 21/205 , H01S 5/343 610

F-Term (38)：

4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA18 , 4K030BA01 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BA42 , 4K030BA46 , 4K030BB01 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030HA02 , 4K030LA18 , 5F041AA40 , 5F041CA23 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC00 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC19 , 5F045AF03 , 5F045AF13 , 5F045BB12 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F073AA74 , 5F073AA89 , 5F073CA07 , 5F073CB02 , 5F073CB04 , 5F073DA05 , 5F073EA23 , 5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

III族窒化物半導体薄膜およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-319791 Applicant：富士電機株式会社
多層構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-312318 Applicant：イーストマンコダックカンパニー
電子デバイス用基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-167686 Applicant：ティーディーケイ株式会社

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