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J-GLOBAL ID：200903071412006399

III族窒化物半導体薄膜およびその製造方法

Inventor： 鈴木 健 ,  松井 俊之 ,  大井 明彦
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998319791
Publication number (International publication number)：2000133843
Application date： Oct. 22, 1998
Publication date： May. 12, 2000
Summary：

【要約】【課題】SiまたはGe基板上の、凹凸のない結晶性に優れたIII 族窒化物半導体薄膜およびその製造方法を提供する。【解決手段】SiまたはGe基板に成膜されたAlx Ga yIn 1-x-yN (但し、0 ≦x,y ≦1 、x+y ≦1 )からなるIII 族窒化物半導体薄膜において、前記III 族窒化物半導体薄膜を前記基板上に成膜されたCaF2、SrF2またはBaF2からなるフッ化物薄膜2上に成膜する。

Claim (excerpt)：

SiまたはGe基板に成膜されたAlx Ga yIn 1-x-yN (但し、0 ≦x,y ≦1 、x+y ≦1 )からなるIII 族窒化物半導体薄膜において、前記III 族窒化物半導体薄膜は前記基板上に成膜されたCaF2、SrF2またはBaF2からなるフッ化物薄膜上に成膜されていることを特徴とする III族窒化物半導体薄膜。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/203

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/203 M

F-Term (11)：

5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA66 ,  5F103AA04 ,  5F103DD30 ,  5F103HH03 ,  5F103LL03 ,  5F103NN01 ,  5F103RR06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-061187   Applicant：株式会社東芝
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-305257   Applicant：旭化成工業株式会社
• 窒化物系半導体素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-211793   Applicant：旭化成工業株式会社