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J-GLOBAL ID：200903034318423030

半導体レーザ素子およびその製造方法

Inventor： 松原 秀樹 ,  三浦 祥紀 ,  関 壽 ,  纐纈 明伯
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995068049
Publication number (International publication number)：1996264886
Application date： Mar. 27, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】 GaN系エピタキシャル結晶を用いた、低コストで安定なレーザ素子およびその製造方法を提供する。【構成】 結晶のへき開端面をミラーとして利用したファブリペロー共振器を有する半導体レーザ素子であって、GaAs半導体基板1と、基板1上に形成された厚さが10nm〜80nmのGaNからなる第1のバッファ層2と、第1のバッファ層2上に形成されたGaNからなる第2のバッファ層3と、第1のバッファ層2と第2のバッファ層3との界面に位置する不整合面9と、第2のバッファ層3上に形成された第1のクラッド層4と、第1のクラッド層4上に形成された活性領域5と、活性領域5上に形成された第2のクラッド層6と、第2のクラッド層6上に形成されたコンタクト層7とを含む。

Claim (excerpt)：

結晶のへき開端面をミラーとして利用したファブリペロー共振器を有する半導体レーザ素子であって、GaAs、GaPおよびInPからなる群から選ばれる化合物半導体基板と、前記基板上に形成された、厚さが10nm〜80nmのGaNからなる第1のバッファ層と、前記第1のバッファ層上に形成された、GaNからなる第2のバッファ層と、前記第1のバッファ層と前記第2のバッファ層との界面に位置する不整合面と、前記第2のバッファ層上に形成された第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層上に形成された活性領域と、前記活性領域上に形成された第2のクラッド層と、前記第2のクラッド層上に形成されたコンタクト層とを含む、半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 窒化物系III-V族化合物半導体結晶の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-320804   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体発光素子およびその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-215625   Applicant：ローム株式会社
• 窒化物系半導体素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-211793   Applicant：旭化成工業株式会社