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J-GLOBAL ID:200903034418067249
カ-ボンナノチュ-ブを含むデバイスおよびフィ-ルドエミッション構造を含むデバイスおよびその製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
三俣 弘文
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000015644
Publication number (International publication number):2000223004
Application date: Jan. 25, 2000
Publication date: Aug. 11, 2000
Summary:
【要約】【課題】 単一方向に向けられたかなりの数のナノチューブ端部を好都合に提供する粘着性かつ安定なカーボンナノチューブフィールドエミッタ構造を比較的容易に製造するプロセスを提供する。【解決手段】 ナノチューブは、支持ベース材料から突き出して、エミッション特性を改善する。得られるエミッタ構造は、マイクロ波真空管デバイスおよびフラットパネルフィールドエミッションディスプレイを含む様々なデバイスに有用である。突き出しナノチューブエミッタ構造を得るために、本発明の一実施形態によれば、ナノチューブと金属パーティクルは、混合されてコンパクトに固められる。そして、コンパクトは、かなりの数のナノチューブ端部を露出するように切断される。金属層は、切断された面から選択的にエッチングされて、表面から突き出した露出したナノチューブを残す。
Claim (excerpt):
複数のカーボンナノチューブを含む複合材料を含み、前記複数のナノチューブは、ナノチューブ間の少なくとも1つの接触および前記複合材料中に存在する導電性材料により電気的に接続されているデバイスにおいて、前記ナノチューブの少なくとも一部は、前記複合材料の表面から突き出しており、平均的突き出しは、前記複合材料中のナノチューブの平均直径の少なくとも2倍であることを特徴とするデバイス。
IPC (7):
H01J 1/304
, B81C 1/00
, H01J 9/02
, H01J 23/06
, H01J 25/38
, H01J 29/04
, H01J 31/12
FI (7):
H01J 1/30 F
, B81C 1/00
, H01J 9/02 B
, H01J 23/06
, H01J 25/38
, H01J 29/04
, H01J 31/12 C
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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特表平5-500585
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電界放出型冷陰極装置、その製造方法及び真空マイクロ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-249096
Applicant:株式会社東芝
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金属被覆カーボンナノチューブおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-170098
Applicant:日本電気株式会社
-
冷陰極およびこれを用いた電子銃とマイクロ波管
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-060887
Applicant:日本電気株式会社
-
電子ビーム装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-060166
Applicant:富士通株式会社
-
電子放出源の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-203249
Applicant:伊勢電子工業株式会社
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