ショットキバリアダイオード

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岩橋文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001203031
Publication number (International publication number)：2003017713
Application date： Jul. 04, 2001
Publication date： Jan. 17, 2003
Summary：

【要約】【課題】ショットキメタル5と絶縁被膜4との接着強度が小さいことに起因するショットキメタル5と絶縁被膜4の剥離現象を防止したショットキバリアダイオードを提供することを目的とする。【解決手段】ショットキメタル5を絶縁被膜4に接触させることなく、蒸着,スパッタリング等の手段で逆導電型拡散層からなるガードリング3と一導電型エピタキシャル層2上に形成している。絶縁被膜4との接着強度が非常に強い金属を絶縁被膜4の縁部とガードリング3と一導電型エピタキシャル層2上に覆うように蒸着,スパッタリング等の手段で形成した後、その上にはんだや金とのぬれ性が良い金属でアノード電極層6を構成している。

Claim (excerpt)：

一導電型半導体基板の一方に一導電型エピタキシャル層が形成され、前記一導電型エピタキシャル層の表面付近に逆導電型拡散層からなるガードリングが形成され、前記ガードリングと前記一導電型エピタキシャル層によって形成されるP-N接合の外周縁部を覆うようにその表面に絶縁被膜が形成され、前記絶縁被膜の表面および側面に接触せずに、絶縁被膜の窓穴内に露出した前記一導電型エピタキシャル層の表面だけにショットキメタルが形成され、前記ショットキメタルと前記絶縁被膜及び前記一導電型エピタキシャル層の表面にアノード電極層が形成され、また前記一導電型エピタキシャル層の反対側の表面にオーミック電極層、さらにその表面にカソード電極層が形成されたことを特徴とするショットキバリアダイオード。

F-Term (8)：

4M104BB16 , 4M104CC03 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104FF11 , 4M104FF35 , 4M104GG03 , 4M104HH09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平1-196866
半導体整流素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-187195 Applicant：新電元工業株式会社, 株式会社東根新電元
特開平1-196866

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