Pat
J-GLOBAL ID:200903034281458199
パターニング装置、パターニング方法、電子素子の製造方法、回路基板の製造方法、電子装置の製造方法、電気光学装置とその製造方法、及び電子機器
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
上柳 雅誉 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001389676
Publication number (International publication number):2003197531
Application date: Dec. 21, 2001
Publication date: Jul. 11, 2003
Summary:
【要約】【課題】 材料の選択自由度を高くした新たな製造方法と、この方法の実施に好適なパターニング装置を提供する。【解決手段】 材料にレーザー光を照射することによってこの材料から化学種を発生させる化学種発生部2と、化学部発生部2で発生した化学種を吐出するノズル部3と、ノズル部3と化学種が配置される基体との相対的な位置を移動させる可動機構15とを備えたパターニング装置1。
Claim (excerpt):
材料にレーザー光を照射することによって該材料から化学種を発生させる化学種発生部と、該化学部発生部で発生した化学種を吐出するノズル部と、該ノズル部と前記化学種が配置される基体との相対的な位置を移動させる可動機構とを備えたことを特徴とするパターニング装置。
IPC (10):
H01L 21/203
, C23C 14/28
, G02F 1/13 101
, G02F 1/167
, H01L 21/20
, H01L 21/285
, H01L 21/31
, H01L 21/3205
, H01L 21/336
, H01L 29/786
FI (13):
H01L 21/203 Z
, C23C 14/28
, G02F 1/13 101
, G02F 1/167
, H01L 21/20
, H01L 21/285 Z
, H01L 21/31 D
, H01L 29/78 627 C
, H01L 29/78 617 J
, H01L 29/78 618 A
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 617 V
, H01L 21/88 B
F-Term (191):
2H088FA18
, 2H088FA30
, 2H088HA01
, 2H088HA02
, 2H088HA04
, 4K029AA09
, 4K029BA35
, 4K029BA46
, 4K029BA58
, 4K029BA62
, 4K029BB02
, 4K029CA01
, 4K029DB20
, 4K029HA00
, 4M104AA01
, 4M104AA03
, 4M104AA08
, 4M104AA10
, 4M104BB01
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB05
, 4M104BB06
, 4M104BB07
, 4M104BB08
, 4M104BB13
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104BB17
, 4M104BB26
, 4M104BB27
, 4M104BB28
, 4M104BB30
, 4M104BB33
, 4M104BB36
, 4M104BB40
, 4M104CC01
, 4M104DD04
, 4M104DD16
, 4M104DD17
, 4M104DD18
, 4M104DD20
, 4M104DD31
, 4M104DD36
, 4M104DD43
, 4M104DD72
, 4M104DD91
, 4M104EE03
, 4M104EE06
, 4M104EE16
, 4M104FF13
, 4M104GG04
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG19
, 4M104HH20
, 5F033GG00
, 5F033GG03
, 5F033HH00
, 5F033HH03
, 5F033HH08
, 5F033HH11
, 5F033HH13
, 5F033HH17
, 5F033HH18
, 5F033HH19
, 5F033HH20
, 5F033HH27
, 5F033HH28
, 5F033HH30
, 5F033HH32
, 5F033HH33
, 5F033HH34
, 5F033HH35
, 5F033JJ01
, 5F033JJ08
, 5F033JJ33
, 5F033JJ38
, 5F033KK01
, 5F033KK33
, 5F033LL04
, 5F033MM05
, 5F033MM13
, 5F033NN06
, 5F033PP00
, 5F033PP09
, 5F033PP20
, 5F033QQ09
, 5F033QQ25
, 5F033QQ37
, 5F033QQ58
, 5F033QQ73
, 5F033QQ74
, 5F033QQ83
, 5F033RR03
, 5F033RR04
, 5F033RR08
, 5F033RR11
, 5F033RR21
, 5F033SS00
, 5F033SS04
, 5F033SS08
, 5F033SS15
, 5F033VV06
, 5F033VV10
, 5F033XX00
, 5F045AA12
, 5F045AB04
, 5F045AB32
, 5F045AB33
, 5F045EM10
, 5F052AA02
, 5F052AA11
, 5F052AA17
, 5F052BA07
, 5F052BB07
, 5F052DA02
, 5F052DA03
, 5F052DA10
, 5F052DB02
, 5F052DB03
, 5F052DB07
, 5F052EA16
, 5F052FA06
, 5F052JA01
, 5F052JA04
, 5F103AA01
, 5F103BB01
, 5F103BB16
, 5F103DD16
, 5F103LL13
, 5F110AA16
, 5F110BB04
, 5F110BB05
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD03
, 5F110DD13
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE04
, 5F110EE05
, 5F110EE06
, 5F110EE07
, 5F110EE09
, 5F110EE14
, 5F110EE15
, 5F110EE28
, 5F110EE31
, 5F110EE44
, 5F110EE45
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110FF09
, 5F110FF23
, 5F110FF29
, 5F110FF30
, 5F110FF33
, 5F110FF36
, 5F110GG02
, 5F110GG05
, 5F110GG13
, 5F110GG32
, 5F110GG43
, 5F110GG45
, 5F110GG47
, 5F110HJ01
, 5F110HJ04
, 5F110HJ13
, 5F110HJ18
, 5F110HK38
, 5F110HL03
, 5F110HL04
, 5F110HL12
, 5F110HM15
, 5F110NN03
, 5F110NN04
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN27
, 5F110NN35
, 5F110NN73
, 5F110NN78
, 5F110PP03
, 5F110PP06
, 5F110PP10
, 5F110PP34
, 5F110QQ11
, 5F110QQ25
, 5F110QQ28
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
-
微粒子膜形成装置・形成方法、ならびに半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-340264
Applicant:株式会社東芝
-
微細線形成方法及び装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-023462
Applicant:真空冶金株式会社
-
特開平2-230734
-
機能性薄膜の形成方法及び形成装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-188079
Applicant:松下電器産業株式会社
-
特開昭60-100421
-
薄膜形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-217100
Applicant:ミノルタ株式会社
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