半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：外川英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997092104
Publication number (International publication number)：1998027799
Application date： Apr. 10, 1997
Publication date： Jan. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】半導体装置の高速化、高集積化が急速に進められており、配線の高集積化による配線容量の増大が、半導体装置の高速化を妨げる主要な原因となりつつある。多層配線構造を有する半導体装置にダミーパターンを形成しようとするときは、多層配線構造の全配線容量を増加させないようにすることが極めて重要な課題となっている。【解決手段】多層配線構造の最上層を除く少なくとも1の配線パターンに、電気的に接続されることなく形成されたダミーパターンと、前記多層配線構造に形成された配線パターンとの間に、半導体装置の要求性能に応じて、ダミーパターンを所定の規則に従って配置することにより、多層配線構造にダミーパターンを配置する際、全配線容量の増加を最小限に抑える。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に第一の膜厚を有して形成された第一層間絶縁膜と、前記第一層間膜表面上に形成された複数の第一配線パターンと、前記第一層間絶縁膜表面上の前記第一配線パターン間に電気的に絶縁されて形成されたダミーパターンと、前記第一層間絶縁膜、前記第一配線パターン、前記ダミーパターン表面上に前記第一層間絶縁膜から第二の膜厚を有して形成された第二層間絶縁膜と、前記第二層間絶縁膜表面上に形成された第二配線パターンとを有し、前記ダミーパターンと前記第二配線パターンとは平面的に離間していることを特徴とする半導体装置。

FI (2)：

H01L 21/88 K , H01L 21/88 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-150206 Applicant：日本電気株式会社
多層配線の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-124311 Applicant：三洋電機株式会社
半導体集積回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-150179 Applicant：日本電気株式会社

Return to Previous Page