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J-GLOBAL ID：200903034881687353

めっき方法、基板形成方法及び基板

Inventor：
豊田 吉彦

About 豊田 吉彦


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体先端テクノロジーズ

About 株式会社半導体先端テクノロジーズ


Agent (1)： 溝井 章司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004003573
Publication number (International publication number)：2005194598
Application date： Jan. 09, 2004
Publication date： Jul. 21, 2005
Summary：
【課題】 基板上に形成されたCu配線にキャップするための金属層を安定して形成させることを目的とする。【解決手段】 防食剤が吸着したCu層が形成された基板3をラジカル雰囲気とイオン雰囲気とのいずれかに暴露する前処理ユニット16と、上記前処理ユニット16により暴露された基板3に形成されたCu層に所定の金属をめっきするめっき部38とを備えたことを特徴とする。上記前処理ユニット16は、プラズマを形成することにより基板3をラジカル雰囲気とイオン雰囲気とのいずれかに暴露することを特徴とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
防食剤が吸着した導電体層が形成された被処理物をラジカル雰囲気とイオン雰囲気とのいずれかに暴露する暴露工程と、 上記暴露工程により暴露された被処理物に形成された導電体層に所定の金属をめっきするめっき工程と を備えたことを特徴とするめっき方法。
IPC (6)：
C23C18/18 ,  C23C8/36 ,  C23C18/32 ,  C23G5/00 ,  H01L21/288 ,  H01L21/768
FI (6)：
C23C18/18 ,  C23C8/36 ,  C23C18/32 ,  C23G5/00 ,  H01L21/288 E ,  H01L21/90 A
F-Term (48)：
4K022AA02 ,  4K022AA32 ,  4K022AA42 ,  4K022BA06 ,  4K022BA14 ,  4K022CA03 ,  4K022CA11 ,  4K022CA12 ,  4K022CA29 ,  4K022DA01 ,  4K022DB02 ,  4K022DB04 ,  4K022DB07 ,  4K022DB08 ,  4K022EA04 ,  4K028BA02 ,  4K028BA05 ,  4K028BA13 ,  4K028BA21 ,  4K053PA06 ,  4K053QA06 ,  4K053RA02 ,  4K053RA03 ,  4K053SA01 ,  4K053XA50 ,  4M104BB04 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104HH05 ,  5F033HH11 ,  5F033HH15 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033KK00 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ89 ,  5F033QQ90 ,  5F033XX28
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 配線基板の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-245074   Applicant：新光電気工業株式会社
Cited by examiner (3)

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