半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：尾身祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000279089
Publication number (International publication number)：2002093942
Application date： Sep. 14, 2000
Publication date： Mar. 29, 2002
Summary：

【要約】【課題】半導体装置の上下両面に外部端子を設けても、半導体装置の設計に制約を与えたり、半導体チップ面積の増加をもたらすことのないようにして、半導体装置の高密度実装の実現と、チップ面積の使用効率の向上を図る。【解決手段】半導体チップ2の能動素子面にはAl製の電極3が形成され、電極3はバンプ4を介して導体5aに接続されている。一部の導体5aには外部端子7aとして半田ボールが接続され、他の導体5aはチップの側面から上面(裏面)上に延びる導体5bに接続されている。導体5bの一部の領域は外部端子7bになされている。半導体チップ2と導体5aの間には絶縁体6bが充填され、半導体チップの側面と上面は絶縁体6cにより覆われ、半導体装置1の全体は外部端子形成領域を除いて絶縁体6a、6dに覆われている。

Claim (excerpt)：

半導体チップの第1の主面に半導体チップの金属電極に連なる配線を含む再配線層が形成され、前記第1の主面上の前記再配線層上に第1の外部端子が形成され、前記第1の主面の反対側の面である第2の主面上に前記再配線層に接続された第2の外部端子が形成されている半導体装置において、第2の外部端子はチップの側面に形成された側面配線を介して前記再配線層と接続され、かつ、前記側面配線の第1の主面側端部は“L”字状に曲げられその曲げられた部分が前記再配線層の前記第2の主面側の面と接触していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 23/12 501 , H01L 23/12

FI (4)：

H01L 23/12 501 B , H01L 23/12 501 P , H01L 23/12 501 S , H01L 23/12 501 T

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-272455 Applicant：カシオ計算機株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-243742 Applicant：株式会社東芝
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-002313 Applicant：松下電子工業株式会社

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