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J-GLOBAL ID:200903034981672515
窒化物の気相成長装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
米澤 明
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999364153
Publication number (International publication number):2001181097
Application date: Dec. 22, 1999
Publication date: Jul. 03, 2001
Summary:
【要約】【課題】 欠陥が少ない窒化ガリウム結晶を高速で気相成長する気相成長装置に関するものである。【解決手段】 横型反応管2の上流部の端面の円周上に少なくとも2個の窒素の水素化物導入管3を配置し、該端面の中央部には横型反応管内に設けたガリウム源を内部に有するガリウム化合物生成部5に、金属ガリウム16との反応でガリウム化合物を生成する反応気体を供給する反応気体導入管を結合し、ガリウム化合物生成部の吹き出し部に対向して窒化ガリウム結晶成長用の基板を取り付けた基板ホルダー12を配置し、少なくとも反応管内のガリウム化合物生成部の吹き出し部9の下流側の反応管の内面に内面保護管14を設けた窒化ガリウムの気相成長装置。
Claim (excerpt):
窒素の水素化物と III族元素のハロゲン化物により窒化物結晶の成長を行う反応管と、前記窒素の水素化物を反応管内に供給する水素化物導入管と、前記反応管内に設けられ、前記 III族元素の塩化物を生成し反応管内に供給するIII族元素のハロゲン化物生成手段とを有する窒化物の気相成長装置において、前記水素化物導入管の反応管内での開口端部を、前記 III族元素のハロゲン化物生成手段の吹き出し部より上流に配置し、かつ、基板ホルダーに保持された窒化物結晶成長用の基板を前記 III族元素のハロゲン化物生成手段の吹き出し部に対向するように配置したことを特徴とする窒化物の気相成長装置。
IPC (2):
FI (2):
C30B 29/38 Z
, C30B 25/02 Z
F-Term (10):
4G077AA03
, 4G077BE15
, 4G077DB05
, 4G077DB11
, 4G077EG03
, 4G077EG04
, 4G077EG22
, 4G077TB03
, 4G077TC01
, 4G077TC19
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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エピタキシャルウェハおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-337797
Applicant:住友電気工業株式会社
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エピタキシャルウェハおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-068048
Applicant:住友電気工業株式会社
-
発光素子および発光素子用ウエハならびにその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-122378
Applicant:住友電気工業株式会社
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特開平3-072076
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特開昭54-088071
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