Pat

J-GLOBAL ID：200903035024436989

電力変換器制御装置

Inventor： 園田 道▲吉▼ ,  大坪 亮
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三谷 惠 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000025841
Publication number (International publication number)：2001161078
Application date： Feb. 03, 2000
Publication date： Jun. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】 半導体素子に大きな電流が流れる異常が発生しても、その保護動作を確実に行い素子破壊を防ぐことができる電力変換器制御装置を得ることである。【解決手段】 ホールCT11により電力変換器6の半導体素子に過電流が流れたことが検出されたときは、異常検出部9は異常信号を出力する。異常検出部9からの異常信号があると、ゲート駆動部8のゲート遮断手段13は電力変換器6の停止のためのゲート遮断信号を出力する。一方、ゲートオン手段は、異常となった半導体素子のゲート信号をオン状態に保持し、ゲート絞り手段12により半導体素子の電流が所定値より小さくなってから半導体素子のゲート信号をオフする。これにより、ゲート遮断動作がなされることに先行して半導体素子に流れる電流を減少させることができる。

Claim (excerpt)：

電力変換器の半導体素子のゲートを駆動するゲート駆動部と、前記電力変換器の半導体素子に流れる電流が所定値を超えたことを検出し異常信号を出力する異常検出部と、前記ゲート駆動部にゲート信号を送り前記電力変換器を制御する制御部とを備えた電力変換器制御装置において、前記ゲート駆動部は、前記異常検出部の異常信号を入力したとき前記半導体素子のゲートを絞るゲート絞り手段と、前記電力変換器の停止のためのゲート遮断信号を出力するゲート遮断出力手段と、異常となった半導体素子のゲート信号をオン状態に保持し前記半導体素子の電流が所定値より小さくなってから前記半導体素子のゲート信号をオフするゲートオン手段とを備えたこと特徴とする電力変換器制御装置。

IPC (3)：

H02M 7/48 ,  H02M 7/537 ,  H02M 7/5387

FI (3)：

H02M 7/48 M ,  H02M 7/537 E ,  H02M 7/5387 Z

F-Term (13)：

5H007AA06 ,  5H007AA17 ,  5H007BB06 ,  5H007CA01 ,  5H007CB05 ,  5H007CC12 ,  5H007DB01 ,  5H007DC02 ,  5H007FA03 ,  5H007FA06 ,  5H007FA13 ,  5H007FA19 ,  5H007GA08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 電圧駆動形自己消弧素子の過電流保護回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-153151   Applicant：株式会社東芝
• インバータ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-268727   Applicant：株式会社日立製作所, 日立京葉エンジニアリング株式会社
• IGBT短絡保護回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-039506   Applicant：株式会社東芝