半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (7)：鈴江武彦 , 村松貞男 , 坪井淳 , 橋本良郎 , 河野哲 , 中村誠 , 河井将次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002382384
Publication number (International publication number)：2004214413
Application date： Dec. 27, 2002
Publication date： Jul. 29, 2004
Summary：

【課題】オフリーク電流が1×10-16アンペア以下で、なおかつゲート長が0.1μm以下の半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、第1導電型の半導体基板11上に形成された凸型半導体領域FIN、凸型半導体領域の少なくとも対向する側面上にゲート絶縁膜GOXを介して形成されたゲート電極G、ゲート電極を挟むように凸型半導体領域中に形成された第2導電型のソース・ドレイン領域S,D、ソース・ドレイン領域間の凸型半導体領域中に形成された第1導電型のチャネル領域CH、及び凸型半導体領域を挟む半導体基板上に形成された素子分離絶縁膜とを有するフィン型トランジスタを備える。そして、凸型半導体領域の幅をTFIN、チャネル領域の不純物濃度をNCH、凸型半導体領域を構成する半導体材料の誘電率をε、素電荷をqとしたとき、TFIN≧(ε/4qNCH)1/2の関係を満たすことを特徴としている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板上に形成された凸型半導体領域と、前記凸型半導体領域の少なくとも対向する側面上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を挟むように、前記凸型半導体領域中に形成された第2導電型のソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域及びドレイン領域間の前記凸型半導体領域中に形成された第1導電型のチャネル領域と、前記凸型半導体領域を挟む前記半導体基板上に形成された素子分離絶縁膜とを有するフィン型トランジスタを備え、前記凸型半導体領域の幅をTFIN、前記チャネル領域の不純物濃度をNCH、前記凸型半導体領域を構成する半導体材料の誘電率をε、素電荷をqとしたとき、 TFIN≧(ε/4qNCH)1/2 の関係を満たすことを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L27/088 , H01L27/108 , H01L29/786

FI (7)：

H01L29/78 301H , H01L29/78 618C , H01L27/10 625A , H01L27/10 671Z , H01L27/10 681F , H01L29/78 301X , H01L27/08 102A

F-Term (95)：

5F048AA04 , 5F048AA07 , 5F048AB01 , 5F048AC10 , 5F048BA16 , 5F048BB01 , 5F048BB07 , 5F048BC01 , 5F048BC03 , 5F048BD01 , 5F048BD04 , 5F048BD06 , 5F048BH01 , 5F083AD01 , 5F083AD03 , 5F083AD04 , 5F083AD17 , 5F083GA06 , 5F083GA09 , 5F083JA35 , 5F083JA53 , 5F083NA01 , 5F083PR06 , 5F083PR40 , 5F083ZA02 , 5F083ZA04 , 5F083ZA05 , 5F083ZA06 , 5F083ZA07 , 5F110AA06 , 5F110BB06 , 5F110CC02 , 5F110CC10 , 5F110DD05 , 5F110DD11 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE22 , 5F110EE32 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG22 , 5F110GG28 , 5F110GG30 , 5F110GG32 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HK05 , 5F110HK40 , 5F110HM15 , 5F110NN62 , 5F110NN72 , 5F110QQ04 , 5F110QQ08 , 5F110QQ11 , 5F140AA24 , 5F140AB01 , 5F140AC32 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BB05 , 5F140BC06 , 5F140BC15 , 5F140BC17 , 5F140BD09 , 5F140BE07 , 5F140BE13 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BF42 , 5F140BF44 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG34 , 5F140BG53 , 5F140BH02 , 5F140BH05 , 5F140BH15 , 5F140BH40 , 5F140BH49 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK34 , 5F140CB04 , 5F140CF04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-232506 Applicant：株式会社東芝
特開平2-263473
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-017177 Applicant：川崎製鉄株式会社

Show all

Return to Previous Page