マイクロメカニカル半導体加速度計

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡部正夫 (外11名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000562765
Publication number (International publication number)：2002521695
Application date： Jul. 22, 1999
Publication date： Jul. 16, 2002
Summary：

【要約】マイクロメカニカル半導体加速度計差容量型の高精度マイクロメカニカル半導体加速度計は、ハーメチックシール構成を形成するために、エッチングされた保証質量層の相対する側に溶融接合された一対のエッチングされた相対するカバー層を含む。カバー層は価格、作製及び組立ての複雑さを著しく減らすために、市販のシリコン-オン-絶縁体(“SOI”)ウエハで形成される。加速度計の機能半導体部分は、反応性イオンエッチング(“RIE”)のBOSCH法を用いてドライエッチされ、それによって従来技術の湿式エッチングプロセスに固有の汚染が著しく減少し、かつ本質的に垂直な側壁により形状が接合され有利である。

Claim (excerpt)：

a) 相対する内部及び外部半導体層を集積化して有する付随した酸化物層をそれぞれが含む最上部及び底部カバーウエハ要素; b) 前記内部半導体層のそれぞれに隣接したあらかじめ決められた厚さの第1の誘電体層; c) 電極及び周辺保護環を規定する各前記内部半導体及び第1の誘電体層内の開口; d) 相対する側を有し、中央保証質量、周辺フレーム及び前記保証質量を前記フレームに接合するための少なくとも1個の蝶番を規定する貫通した開口を持つ半導体保証ウエハ要素; e) 前記半導体ウエハ要素のそれぞれの側の上にある前記フレームをカバーするあらかじめ決められた厚さの第2の誘電体層;を組合せて含む差容量型の半導体加速度計。

IPC (2)：

G01P 15/125 , H01L 29/84

FI (2)：

G01P 15/125 , H01L 29/84 Z

F-Term (8)：

4M112AA02 , 4M112BA07 , 4M112CA51 , 4M112CA55 , 4M112DA03 , 4M112DA18 , 4M112EA20 , 4M112GA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

微細機構を有する加速度計およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-089357 Applicant：リテフ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフトウング
加速度センサー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-299195 Applicant：松本佳宣, 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
特表平7-508835

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