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J-GLOBAL ID：200903035337210213

窒化アルミニウム積層基板

Inventor： 福山 博之 ,  楠 信哉 ,  箱守 明 ,  高田 和哉
Applicant, Patent owner： 株式会社トクヤマ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004252501
Publication number (International publication number)：2006069814
Application date： Aug. 31, 2004
Publication date： Mar. 16, 2006
Summary：

【課題】 窒化アルミニウム(AlN)膜を有する窒化アルミニウム積層基板を提供する。 【解決手段】 サファイア等の単結晶α-アルミナ基板を、窒素、カーボンおよび一酸化炭素の存在下に加熱、窒化処理して結晶性窒化アルミニウム膜を同基板上に積層するとともに、同一工程で同時に該α-アルミナ基板と結晶性窒化アルミニウム膜層との界面に気孔を不規則に点在せしめることを特徴とする結晶性窒化アルミニウム積層基板の製法と当該積層基板。【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

単結晶α-アルミナ基板上に窒化アルミニウム膜が積層されてなり、当該α-アルミナ基板と窒化アルミニウム膜層との界面に気孔が点在してなることを特徴とする窒化アルミニウム積層基板。

IPC (2)：

C30B 29/38 ,  C30B 1/02

FI (2)：

C30B29/38 C ,  C30B1/02

F-Term (8)：

4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077CA01 ,  4G077CA07 ,  4G077ED06 ,  4G077HA12 ,  4G077JA03 ,  4G077JB02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 単結晶窒化アルミニウム膜およびその形成方法、III族窒化物膜用下地基板、発光素子、並びに表面弾性波デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-068361   Applicant：財団法人理工学振興会

Cited by examiner (3)

• 半導体発光素子及びその製造方法並びに半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-272286   Applicant：株式会社東芝
• 基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-396148   Applicant：株式会社トクヤマ
• 単結晶窒化アルミニウム膜およびその形成方法、III族窒化物膜用下地基板、発光素子、並びに表面弾性波デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-068361   Applicant：財団法人理工学振興会