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J-GLOBAL ID：200903035377774101

磁気抵抗素子および磁化反転方法

Inventor： 田中 秀和 ,  神吉 輝夫 ,  川合 知二
Applicant, Patent owner： 国立大学法人大阪大学
Agent (1)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005101328
Publication number (International publication number)：2006286713
Application date： Mar. 31, 2005
Publication date： Oct. 19, 2006
Summary：

【課題】 強磁性体層の磁化の向きを変化させるために必要な消費電力が小さい磁気抵抗素子を提供する。【解決手段】 磁気抵抗素子1は、第1強磁性体層20と第2強磁性体層40とが、中間層30を介して接合され、上記第1強磁性体層20および第2強磁性体層40の少なくとも一方の強磁性体層に、誘電体または強誘電体からなる誘電体層10が接合されており、上記誘電体層10が接合されている強磁性体層は、強磁性半導体である構成である。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

第1強磁性体層と第2強磁性体層とが、中間層を介して接合されており、上記第1強磁性体層の磁化および上記第2強磁性体層の磁化に応じた電気抵抗変化を示す磁気抵抗素子において、 上記第1強磁性体層および第2強磁性体層の少なくとも一方の強磁性体層に、誘電体または強誘電体からなる誘電体層が接合されており、 上記誘電体層が接合されている強磁性体層は、強磁性半導体であることを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (8)：

H01L 43/08 ,  H01L 43/10 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 51/05 ,  H01F 10/32 ,  H01F 10/193 ,  G11C 11/15

FI (9)：

H01L43/08 S ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/10 ,  H01L27/10 447 ,  H01L29/28 ,  H01F10/32 ,  H01F10/193 ,  G11C11/15 112 ,  H01L43/08 M

F-Term (7)：

5E049BA30 ,  5E049CB02 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083JA60 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• トンネル磁気抵抗素子、半導体接合素子、磁気メモリ、および半導体発光素子
  Gazette classification：再公表公報   Application number：JP2003003604   Applicant：独立行政法人科学技術振興機構