半導体発光素子、半導体レーザ素子及びこれを用いた発光装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002010217
Publication number (International publication number)：2003218395
Application date： Jan. 18, 2002
Publication date： Jul. 31, 2003
Summary：

【要約】【課題】光励起可能な半導体発光素子、発光効率に優れた半導体発光素子を実現する。【解決手段】傾斜結晶上に活性層が形成され、光励起により誘導放出光を発する半導体発光素子である。活性層は、例えばInGaN層を量子井戸とする多重量子井戸とする。InGaN層のIn組成は、In/(In+Ga)≧0.9とする。この半導体発光素子は、スーパールミネッセントダイオードに相当し、共振構造を有する場合には、レーザダイオードとなる。特に、ピラミッド型のレーザダイオードも実現可能である。

Claim (excerpt)：

化合物半導体からなり周囲の少なくとも1面が傾斜面とされた傾斜結晶に活性層が形成され、該活性層に吸収された励起光により誘導放出光を発することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 5/18

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01S 5/18

F-Term (24)：

5F041AA03 , 5F041AA14 , 5F041AA40 , 5F041CA05 , 5F041CA10 , 5F041CA13 , 5F041CA23 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA64 , 5F041CB25 , 5F041CB36 , 5F041FF01 , 5F073AA02 , 5F073AA11 , 5F073AA45 , 5F073AA55 , 5F073AB05 , 5F073AB16 , 5F073BA09 , 5F073CA07 , 5F073DA04 , 5F073DA16 , 5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-189927 Applicant：オムロン株式会社
発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-335826 Applicant：シャープ株式会社
半導体レ-ザ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-298229 Applicant：株式会社東芝

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