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J-GLOBAL ID：200903035558116947

2-6族半導体への窒素ドーピング方法と2-6族半導体への窒素ドーピング装置

Inventor：
森 大樹

About 森 大樹

, 
中村 孝夫

About 中村 孝夫


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (1)： 川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002276887
Publication number (International publication number)：2004119421
Application date： Sep. 24, 2002
Publication date： Apr. 15, 2004
Summary：
【課題】ZnSe系半導体のp型クラッド層には高濃度の正孔が必要であるが、分子線エピタキシー装置を用いてZnSe系半導体を製造する場合、ラジカルセルを用い窒素分子線によって窒素をドーピングしているが、自己補償効果が著しく窒素ドーピング量を増やしても正孔濃度が増えない。p型領域における正孔濃度をより高くすることが目的である。【解決手段】シャッターを閉じたままにするか、邪魔板を、ラジカルセルの前方に設け、窒素ラジカルセルから出た窒素分子線をシャッター・邪魔板に一度衝突させる。窒素プラズマに含まれる窒素分子イオンN2+、窒素分子ラジカルN2*、窒素原子イオンN+は活性でありZnSe系薄膜に入るがアクセプタにならずドナーになり自己補償を引き起こす。金属製のシャッター・邪魔板に窒素分子線を当てると、N2+、N2*はN2になり排除される。N+はNになり、それは有効にアクセプタを形成する。アクセプタの濃度を上げることができ正孔密度を増加させる事ができる。低抵抗のp型領域、低接触抵抗のp型領域を作ることができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
ZnSe、ZnO、ZnS系2-6族半導体の薄膜を生成するための分子線エピタキシー成長方法において、高周波励起されるラジカルセルによって窒素をプラズマ状の分子線にしてp型ドーパントとして2-6族半導体薄膜に与える際、ラジカルセルから出た窒素分子線をセル前方に設けた邪魔板或いはシャッターに全面的に衝突させ窒素分子、窒素分子イオンを除去し原子状窒素のみを成長中の薄膜にドーピングするようにしたことをを特徴とする2-6族半導体への窒素ドーピング方法。
IPC (3)：
H01L21/363 ,  C23C14/22 ,  H01L33/00
FI (3)：
H01L21/363 ,  C23C14/22 A ,  H01L33/00 D
F-Term (31)：
4K029BA41 ,  4K029BA49 ,  4K029BA51 ,  4K029BD01 ,  4K029CA09 ,  4K029DA12 ,  5F041AA11 ,  5F041CA05 ,  5F041CA13 ,  5F041CA41 ,  5F041CA43 ,  5F041CA50 ,  5F041CA57 ,  5F041CA66 ,  5F041DA07 ,  5F041DA18 ,  5F041DA43 ,  5F041DB01 ,  5F103AA04 ,  5F103BB04 ,  5F103BB08 ,  5F103BB09 ,  5F103DD23 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103JJ01 ,  5F103KK10 ,  5F103LL01 ,  5F103NN01 ,  5F103RR05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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