Pat
J-GLOBAL ID：200903035570819813

基板の熱処理方法

Inventor：
伊藤 マキ

About 伊藤 マキ

, 
栗城 彰

About 栗城 彰


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (2)： 栗原 浩之 ,  村中 克年
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006086641
Publication number (International publication number)：2007266141
Application date： Mar. 27, 2006
Publication date： Oct. 11, 2007
Summary：
【課題】有機成分を含む誘電体前駆体溶液を用いた基板処理において、誘電体前駆体溶液塗布部分と非誘電体前駆体溶液塗布部分の昇温を均一にすることが可能な基板の熱処理方法、及び少なくとも鉛成分を含む誘電体の有機成分を含む誘電体前駆体溶液を用いた誘電体膜の作成において、誘電体前駆体の塗布部分と非塗布部分とを均一温度で熱処理することにより、素子の品質低下を防ぐことが可能な基板の熱処理方法を提供する。【解決手段】誘電体膜を構成する金属を含む有機金属化合物を含有する誘電体前駆体溶液を基板に塗布して誘電体前駆体膜を形成し、該誘電体前駆体膜を乾燥させ、前記誘電体前駆体膜を脱脂または仮焼成し、前記誘電体前駆体膜を焼成する誘電体膜の製造工程における熱処理に際し、誘電体前駆体溶液塗布部分を遮光するようにして基板をランプ照射により熱処理する。【選択図】図5
Claim (excerpt)：
有機成分を含む誘電体前駆体溶液が塗布された基板の熱処理方法において、誘電体前駆体溶液塗布部分を遮光するようにして基板にランプ照射を行うことを特徴とする基板の熱処理方法。
IPC (4)：
H01L 21/316 ,  H01L 41/22 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/09
FI (4)：
H01L21/316 C ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/08 J
F-Term (6)：
5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF46 ,  5F058BF52 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM