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J-GLOBAL ID：200903035580229062

薄膜型電子源および表示装置

Inventor： 楠 敏明 ,  鈴木 睦三 ,  佐川 雅一 ,  岡井 誠 ,  石坂 彰利
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999190461
Publication number (International publication number)：2001023509
Application date： Jul. 05, 1999
Publication date： Jan. 26, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 電子放出効率を向上させ、かつ、絶縁層に劣化や破壊が生じるの低減し、寿命を長くすることが可能な薄膜型電子源を提供する。【解決手段】 下部電極(11)と、前記下部電極上に設けられる上部電極(13)と、前記下部電極と前記上部電極との間に設けられ、前記下部電極および前記上部電極とともにダイオード構造の電子放出部を構成する絶縁膜(12)とを有する薄膜型電子源であって、常温で前記ダイオード構造の電流-電圧特性に負性抵抗がなく、かつ前記絶縁膜の膜厚が10nm以上である。

Claim (excerpt)：

下部電極と、前記下部電極上に設けられる上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に設けられ、前記下部電極および前記上部電極とともにダイオード構造の電子放出部を構成する絶縁膜とを有する薄膜型電子源であって、常温で前記ダイオード構造の電流-電圧特性に負性抵抗がなく、かつ前記絶縁膜の膜厚が10nm以上であることを特徴とする薄膜型電子源。

IPC (4)：

H01J 1/312 ,  G09F 9/30 360 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12

FI (4)：

H01J 1/30 M ,  G09F 9/30 360 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C

F-Term (33)：

5C031DD09 ,  5C031DD17 ,  5C036EE01 ,  5C036EE08 ,  5C036EE19 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EF09 ,  5C036EG12 ,  5C036EH06 ,  5C036EH21 ,  5C036EH26 ,  5C094AA22 ,  5C094AA31 ,  5C094AA37 ,  5C094BA04 ,  5C094BA32 ,  5C094BA33 ,  5C094BA34 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DB04 ,  5C094DB10 ,  5C094EA04 ,  5C094EA10 ,  5C094EC02 ,  5C094FA01 ,  5C094FB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB15 ,  5C094JA03 ,  5C094JA08 ,  5C094JA20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平1-298623
  
• 薄膜型電子源およびそれを用いた表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-286504   Applicant：株式会社日立製作所
• MIM型電気素子とその製造方法、及びこれを用いた情報転送装置、画像表示装置、描画装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-247200   Applicant：キヤノン株式会社
• トンネル陰極の駆動方法およびそれを用いた表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-204269   Applicant：株式会社日立製作所
• 薄膜型電子源の駆動方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-018080   Applicant：株式会社日立製作所