半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山下穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997301904
Publication number (International publication number)：1999145546
Application date： Nov. 04, 1997
Publication date： May. 28, 1999
Summary：

【要約】【課題】 AlInP電流阻止層を備えたAlGaInP可視半導体レーザにおいて、電流阻止層における光吸収をさらに低減できる構造およびその製造方法を提供する。【解決手段】 p-AlGaInPクラッド層5及び7の平坦部とメサ側部との中間の面方位を有するようにn-AlGaAs電流阻止層9を形成し、その上にn-AlInP電流阻止層10を形成する。

Claim (excerpt)：

第1導電型半導体基板上に、第1導電型クラッド層、活性層、ストライプ状のメサ部を有した第2導電型クラッド層を含んでなるダブルヘテロ構造を有し、このダブルヘテロ構造上に前記メサ上部を除いて形成された第1の電流阻止層および第2の電流阻止層をこの順に有する半導体装置において、前記第1の電流阻止層の表面が、前記第2導電型クラッド層の平坦面の面方位とメサ側面の面方位との中間の角度の面方位を有することを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体レーザおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-047644 Applicant：沖電気工業株式会社
半導体レーザおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-149738 Applicant：日本電気株式会社
半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-123438 Applicant：三菱電機株式会社

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