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J-GLOBAL ID：200903035642432188

半導体素子の製造法

Inventor：
ヨアヒム ヘプフナー

About ヨアヒム ヘプフナー


Applicant, Patent owner：
インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト

About インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト


Agent (1)： 矢野 敏雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001049279
Publication number (International publication number)：2001291843
Application date： Feb. 23, 2001
Publication date： Oct. 19, 2001
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】強誘電性又は常誘導性のコンデンサー材料を使用するストレージコンデンサーが水素の侵入から十分に保護される半導体素子の製造法を提供する。【解決手段】 サブストレート1の上に第一の酸化物層4を設け、その上に下側電極及び上側電極31、33及びこれらの間に析出した金属酸化物含有コンデンサー材料層32を有するコンデンサーを形成させ、コンデンサーの形成の前に、第一の酸化物層4を、プラズマドープ法の使用下に、第一の酸化物層中で水素拡散バリア7Aを形成するバリア物質をドープする。
Claim (excerpt)：
サブストレート(1)の上に第一の酸化物層(4)を設け;第一の酸化物層(4)の上に、下側電極及び上側電極(31、33)及びこれらの間に析出させられた金属酸化物含有コンデンサー材料層(32)を有するコンデンサー(3)を形成させる半導体素子の製造法において、コンデンサー(3)の形成の前に、第一の酸化物層(4)を、プラズマドープ法の使用下に、水素拡散バリアを第一の酸化物層中に形成するバリア物質でドープすることを特徴とする、半導体素子の製造法。
IPC (5)：
H01L 27/105 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (5)：
H01L 21/316 P ,  H01L 21/318 A ,  H01L 27/10 444 B ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 651
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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