半導体記憶装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤巻正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997300838
Publication number (International publication number)：1999135749
Application date： Oct. 31, 1997
Publication date： May. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】水素雰囲気中での熱処理による金属酸化物膜のリーク電流の増加及び誘電分極特性の劣化を防止することができ、好ましくは水素原子がゲート電極と半導体基板との界面まで確実に到達することができる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】シリコン窒化膜11の一部及びチタンシリサイド層13上に、窒化チタン膜14、ルテニウム膜15及び酸化ルテニウム膜16からなるキャパシタの下部電極が設けられている。更に、キャパシタ下部電極を覆いキャパシタの容量絶縁膜である金属酸化物膜17が設けられており、この金属酸化物膜17を覆いキャパシタの上部電極となる窒化チタン膜18が設けられている。なお、シリコン窒化膜11及び窒化チタン膜はメモリセルアレイ領域内にのみ設けられている。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、この半導体基板上に形成されたトランジスタ及びキャパシタにより構成されるメモリセルと、前記半導体基板と前記キャパシタとの間に形成されたシリコン窒化膜と、を有し、前記キャパシタは、下部電極と、第1の窒化チタン膜を有する上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に形成された容量絶縁膜とを有することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (3)：

H01L 27/10 621 B , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-238330 Applicant：株式会社東芝
半導体装置を形成する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-055496 Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
半導体記憶装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-166091 Applicant：三菱電機株式会社

Show all

Return to Previous Page