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J-GLOBAL ID：200903035707681113

半導体発光素子

Inventor：
今野 泰一郎

About 今野 泰一郎

, 
新井 優洋

About 新井 優洋


Applicant, Patent owner：
日立電線株式会社

About 日立電線株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003313758
Publication number (International publication number)：2005085848
Application date： Sep. 05, 2003
Publication date： Mar. 31, 2005
Summary：
【課題】ITO窓層等の金属酸化物窓層を備えた半導体発光素子であって、逆方向電圧特性の悪化、及び前記金属酸化物窓層剥がれ等、による歩留り低下が抑制され、且つ前記中間バンドギャップ層を設けなくても順方向動作電圧が低いという優れた特性を有する、高輝度、低動作電圧、高信頼性である半導体発光素子を提供する。【解決手段】第一導電型基板(1)上に、MOVPE法により第一導電型バッファ層(2)を成膜し、次に、第一導電型クラッド層(3)を成膜し、次に、活性層(4)を成膜し、次に、第二導電型クラッド層(5)を成膜し、次に、Inを含むコンタクト層(10)を成膜し、次に、真空蒸着法によりITO窓層(7)を蒸着し、次に表面電極(8)を蒸着して、電極付きLED用エピタキシャルウエハを作製し、当該エピタキシャルウエハより半導体発光素子を製造した。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
第一導電型基板と、 前記基板の上に、第一導電型クラッド層と、前記第一導電型とは導電型が異なる第二導電型クラッド層とが、活性層を挟んだ発光部と、 前記発光部の上に金属酸化物窓層と、を有し、 前記窓層の表面側の一部に表面電極が形成され、 前記基板の裏面側の全面又は一部に、裏面電極が形成された半導体発光素子であって、 前記第二導電型クラッド層と前記金属酸化物窓層との間に、前記第一導電型基板よりも小さなバンドギャップを有し、且つInを含む直接遷移型の半導体からなるコンタクト層を設けたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1)：
H01L33/00
FI (1)：
H01L33/00 B
F-Term (16)：
5F041AA41 ,  5F041CA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA39 ,  5F041CA49 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA84 ,  5F041CA85
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
  • 特公平6-103759号公報
  • 米国特許第5008718号明細書
  • 米国特許第5481122号明細書
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Cited by examiner (3)
  • 半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-338637   Applicant：ローム株式会社
  • 半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-150026   Applicant：日立電線株式会社
  • 発光ダイオード及びその製作方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-379403   Applicant：日立電線株式会社

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